[发明专利]一种激光烧结快速成型氮化硅陶瓷粉末的制备

权利要求书

1.一种激光烧结快速成型氮化硅陶瓷粉末的制备方法，其特征在于，该方法具有以下工艺步骤：

(1)氮化硅陶瓷粉末预处理：在反应器中，按质量百分比加入，水：60％～70％，聚乙烯醇：2％～6％，加热溶解，再加入氮化硅陶瓷粉末：25％～35％，各组分之和为百分之百，强力搅拌、反应2～4h，然后喷雾干燥，得到预处理氮化硅陶瓷粉末；

(2)激光烧结快速成型氮化硅陶瓷粉末的制备：在研磨机中，按质量百分比加入，预处理氮化硅陶瓷粉末：80％～85％，酚醛树脂：4％～8％，聚乙烯醇缩丁醛：2％～5％，三亚乙基四胺：0.8％～3％，开启研磨机转速在250转/分钟，研磨5min，再加入丙酮：7％～12％，各组分之和为百分之百，研磨机转速在250转/分钟，再研磨40～60min，干燥，得到激光烧结快速成型氮化硅陶瓷粉末，所得到的激光烧结快速成型氮化硅陶瓷粉末的粒径为0.1～0.5μm的范围内。

2.根据权利要求1所述的一种激光烧结快速成型氮化硅陶瓷粉末的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的得到预处理氮化硅陶瓷粉末的粒径在0.1～0.4μm范围内。

3.根据权利要求1所述的一种激光烧结快速成型氮化硅陶瓷粉末的制备方法，其特征在于，在步骤(1)中所述的喷雾干燥，进风温度控制在80～90℃范围内。

4.根据权利要求1所述的一种激光烧结快速成型氮化硅陶瓷粉末的制备方法所制备的激光烧结快速成型氮化硅陶瓷粉末，其特征在于，所述的激光烧结快速成型氮化硅陶瓷粉末的成型条件为：激光功率为40～50W，扫描速度为1500mm/s，扫描间距为0.1～0.15mm，分层厚度为0.10～0.2mm，预热温度：50℃，加工温度为140～150℃。