[发明专利]一种抑制直流通路的负压电平转换电路在审

专利信息
申请号: 201510279537.0 申请日: 2015-05-27
公开(公告)号: CN104883178A 公开(公告)日: 2015-09-02
发明(设计)人: 肖筱 申请(专利权)人: 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 徐文权
地址: 710068 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 抑制 直流 通路 压电 转换 电路
【权利要求书】:

1.一种抑制直流通路的负压电平转换电路,其特征在于:包括与信号输入端(IN)相连的反相器,反相器由第六P沟道MOSFET(P6)与第六N沟道MOSFET(N6)组成,所述第六P沟道MOSFET(P6)与第六N沟道MOSFET(N6)的S极分别连接数字电路电源与地;反相器的输出端连接第七N沟道MOSFET(N7)的G极,第七N沟道MOSFET(N7)的D极连接第七P沟道MOSFET(P7)的D极,第七P沟道MOSFET(P7)与第八P沟道MOSFET(P8)组成第一正反馈对,第七P沟道MOSFET(P7)与第八P沟道MOSFET(P8)的S极连接模拟电路电源,第八P沟道MOSFET(P8)的D极连接第八N沟道MOSFET(N8)的D极,第八N沟道MOSFET(N8)的G、S极分别连接信号输入端(IN)与地;所述第七P沟道MOSFET(P7)与第八P沟道MOSFET(P8)的D极还分别连接第九P沟道MOSFET(P9)与第十P沟道MOSFET(P10)的G极,第九P沟道MOSFET(P9)与第十P沟道MOSFET(P10)的S极连接模拟电路电源,第九P沟道MOSFET(P9)与第十P沟道MOSFET(P10)的D极分别连接第九N沟道MOSFET(N9)与第十N沟道MOSFET(N10)的D极,第九N沟道MOSFET(N9)与第十N沟道MOSFET(N10)组成第二正反馈对,第九N沟道MOSFET(N9)与第十N沟道MOSFET(N10)的S极连接负电压电源(Vneg),负电压电源(Vneg)与模拟电路电源之间连接信号输出端(OUT)。

2.根据权利要求1所述的抑制直流通路的负压电平转换电路,其特征在于:所述的数字电路电源为数字电路1.2V电压电源(DVDD12)。

3.根据权利要求1所述的抑制直流通路的负压电平转换电路,其特征在于:所述的模拟电路电源为模拟电路3.3V电压电源(AVDD33)。

4.根据权利要求1所述的抑制直流通路的负压电平转换电路,其特征在于:所述的第一正反馈对中第七P沟道MOSFET(P7)的G、S、D极分别连接第八P沟道MOSFET(P8)的D极、模拟电路电源和第八P沟道MOSFET(P8)的G极,第八P沟道MOSFET(P8)的G、S、D极分别连接第七P沟道MOSFET(P7)的D极、模拟电路电源和第七P沟道MOSFET(P7)的G极。

5.根据权利要求1所述的抑制直流通路的负压电平转换电路,其特征在于:所述的第二正反馈对中第九N沟道MOSFET(N9)的G、S、D极分别连接第十N沟道MOSFET(N10)的D极、负电压电源(Vneg)和第十N沟道MOSFET(N10)的G极,第十N沟道MOSFET(N10)的G、S、D极分别连接第九N沟道MOSFET(N9)的D极、负电压电源(Vneg)和第九N沟道MOSFET(N9)的G极。

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