[发明专利]高光谱效率性能的三芯片LED的筛选方法

权利要求书

1.高光谱效率性能的三芯片LED的筛选方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤A：在均匀分布在CIE xy色度图上的若干个单色光LED中通过穷举法选择若干个组合以合成若干三芯片LED，其中每一个三芯片LED包括三个单色光LED；

步骤B：计算每一个三芯片LED的辐射光谱效率η_LER值，得到不同色温下辐射光谱效率的最大η_LER值与最小η_LER值，分别对各色温下辐射光谱效率的最大η_LER值、最小η_LER值的关系进行函数拟合，由得到的两个线性函数形成三芯片LED对应的η_LER值性能范围带；

步骤C：计算三芯片LED对应的暗视觉明视觉光效S/P值性能范围带或中间视觉效率M/P值性能范围带；所述M/P值与所述S/P值呈线性关系；

其中，计算三芯片LED对应的暗视觉明视觉光效S/P值性能范围带的过程如下：计算每一个三芯片LED的暗视觉明视觉光效S/P值，得到不同色温下暗视觉明视觉光效比值的最大S/P值与最小S/P值，分别对各色温下暗视觉明视觉光效比值的最大S/P值、最小S/P值的关系进行函数拟合，由得到的两个线性函数形成三芯片LED对应的S/P值性能范围带；

计算中间视觉效率M/P值性能范围带的过程如下：由得到的S/P值的两个线性函数得到M/P的两个线性函数，进而形成三芯片LED对应的M/P值性能范围带；

步骤D：计算每一个三芯片LED的生理辐射效率a_cv值，得到不同色温下生理辐射效率的最大a_cv值与最小a_cv值，分别对各色温下生理辐射效率的最大a_cv值、最小a_cv值的关系进行函数拟合，由得到的两个线性函数形成三芯片LED对应的a_cv值性能范围带；

步骤E：从步骤A合成的若干三芯片LED中，根据生成的η_LER值性能范围带、S/P值性能范围带或M/P值性能范围带、a_cv值性能范围带，选择η_LER值、S/P值或M/P值、a_cv值能达到预设阈值的三芯片LED作为高光谱效率性能的三芯片LED。

2.如权利要求1所述的三芯片LED的筛选方法，其特征在于，步骤A中所述单色光LED的若干个组合≥6组，任意一组单色光LED的半波宽≤50nm。

3.如权利要求1所述的三芯片LED的筛选方法，其特征在于，所述步骤B中最大η_LER值与色温对应的拟合函数为f_LER(CCT)_max＝-4.67·10^-5CCT+0.891，拟合优度R² 0.99；最小η_LER值与色温对应的拟合函数为f_LER(CCT)_min＝-1.91·10^-5CCT+0.389，拟合优度R² 0.99，色温对应范围为2000-6000K。

4.如权利要求3所述的三芯片LED的筛选方法，其特征在于，所述η_LER值性能范围带中最大值和最小值的差值与色温对应的拟合函数为f_LER(CCT)_diff＝-2.76·10^-5CCT+0.502，即2000K对应差值0.4468，3000K对应差值0.4192，4000K对应差值0.3916，5000K对应差值0.364，6000K对应差值0.3364。

5.如权利要求1所述的三芯片LED的筛选方法，其特征在于，所述步骤C中最大S/P值与色温对应的拟合函数为f_S/P(CCT)_max＝2.57·10^-4CCT+0.335，拟合优度R²0.96；最小S/P值与色温对应的拟合函数f_S/P(CCT)_min＝9.56·10^-5CCT+0.049，拟合优度R² 0.98，色温对应范围为2000-6000K。