[发明专利]用于处理半导体器件的方法和半导体器件

说明书

本发明涉及用于处理半导体器件的方法和半导体器件。根据各个实施例的用于处理半导体器件的方法可以包括：在半导体本体上方沉积第一金属化材料；执行加热工艺以便在半导体本体中形成包括第一金属化材料和半导体本体的材料的共晶的至少一个区域；以及在半导体本体上方沉积第二金属化材料以便通过在半导体本体中的所述至少一个区域接触半导体本体。

技术领域

各个实施例涉及用于处理半导体器件的方法和半导体器件。

背景技术

在半导体和金属化之间的界面处，所谓的肖特基接触或肖特基势垒可以形成。肖特基接触可能引起明显增加的泄漏电流，因为肖特基接触在特定操作条件下可以注入自由电荷载流子。通过使用具有低肖特基势垒的金属化，可以避免或减小前面提到的影响。然而，用于金属化的合适材料的数量可能是有限的。可以期望提供避免或基本上减小前面提到的影响而同时在可以用作金属化的材料方面增加灵活性的半导体-金属化界面。

发明内容

根据各个实施例，一种用于处理半导体器件的方法可以包括：在半导体本体上方沉积第一金属化材料；执行加热工艺以便在半导体本体中形成包括第一金属化材料和半导体本体的材料的共晶的至少一个区域；以及在半导体本体上方沉积第二金属化材料以便通过在半导体本体中的所述至少一个区域接触半导体本体。

根据各个实施例，一种用于处理半导体器件的方法可以包括：在半导体本体上方沉积第一金属化材料；执行加热工艺以便在半导体本体中由第一金属化材料和半导体本体的材料形成至少一个尖刺形（spike-shaped）区域；以及在半导体本体上方沉积第二金属化材料以便通过在半导体本体中的所述至少一个尖刺形区域接触半导体本体。

根据各个实施例，一种半导体器件可以包括：半导体本体；在半导体本体中的包括第一金属化材料和半导体本体的材料的共晶的至少一个区域；以及设置在半导体本体上方并且与半导体本体中的所述至少一个区域接触的第二金属化材料。

附图说明

在图中，贯穿不同的视图，相似的参考标记一般指的是相同的部分。各图不必要按比例，而是一般将重点放置在说明本发明的原理上。在下面的描述中，参照下面的附图来描述本发明的各个实施例，在附图中：

图1示出根据各个实施例的用于处理半导体器件的方法；

图2示出根据各个实施例的用于处理半导体器件的方法；

图3A-3F是图示根据各个实施例的用于处理半导体器件的方法的各种视图；

图4A-4H是图示根据各个实施例的用于处理半导体器件的方法的各种视图；以及

图5A-5D是图示根据各个实施例的用于处理半导体器件的方法中的处理阶段的各种视图。

具体实施方式

下面的详细描述参照附图，所述附图借助例证示出其中本发明可以被实践的实施例和具体细节。这些实施例被足够详细地描述以使得本领域技术人员能够实践本发明。可以利用其它实施例并且可以在不脱离本发明的范围的情况下做出结构、逻辑和电气改变。各个实施例不必要相互排斥，因为一些实施例可以与一个或多个其它实施例组合以形成新的实施例。关于方法描述了各个实施例并且关于器件描述了各个实施例。然而，可以理解关于方法描述的实施例可以类似地应用于器件，并且反之亦然。

词示例性的在本文被用来表示充当实例，例子，或者例证的意思。在本文被描述为示例性的的任何实施例或者设计不必要解释为比其它实施例或者设计优选或者有利。

术语“至少一个”和“一个或多个”可以被理解为包括大于或等于1的任何整数，即1、2、3、4、......等。

术语“多个”可以被理解为包括大于或等于2的任何整数，即2、3、4、5、......等。