[发明专利]一种液晶显示面板及装置在审
申请号: | 201510252403.X | 申请日: | 2015-05-18 |
公开(公告)号: | CN104898325A | 公开(公告)日: | 2015-09-09 |
发明(设计)人: | 赵永超 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1337 | 分类号: | G02F1/1337 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 液晶显示 面板 装置 | ||
【技术领域】
本发明涉及显示器技术领域,特别是涉及一种液晶显示面板及装置。
【背景技术】
穿透率是液晶面板的非常重要的一个指标,现有的方法是通过提高液晶面板的开口率来实现的,但是增加了像素的设计难度,同时会造成配向膜的信赖性降低等其他问题。虽然如COA(color filter on array)、BOA(BM on array)等新技术也可以提高面板的穿透率,但是这些都增加了液晶面板的生产制程,增加了成本,降低了良率,增大了信赖性的风险。尽管现有的背光技术也可以达到提高穿透率的效果,但是也会增加成本,设计更加复杂。
由于液晶面板一般在上下基板上设置配向膜,来控制液晶的配向,常用的配向膜的材料为聚酰亚胺(PI)。但是聚酰亚胺一般为黄色的薄膜,在可见光区域会吸收一定程度的光,从而降低穿透率。由于传统的PI薄膜的分子结构中易形成电荷转移络合物(CTC),因此造成其颜色较深,因此出现了通过提高聚酰亚胺的透明度来提高穿透率的方法。目前常用的第一种方法为:
在PI分子结构中引入含氟取代基,利用氟原子较大的电负性,抑制CTC的形成,但是含氟的取代基比较难以合成,成本较高。
第二种方法为:通过降低PI分子结构中芳香结构的含量(具体加入脂环族单体),来减少CTC形成的几率,但是增加脂环族单体会减弱PI的光反应性能,减弱PI的刚性,减弱PI的配向能力,影响信赖性。
因此,有必要提供一种液晶显示面板及装置,以解决现有技术所存在的问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种液晶显示面板及装置,以解决现有技术的液晶显示面板及装置在改善配向膜透明度时,会增加成本以及导致配向膜材料的光反应性能和信赖性降低的技术问题。
为解决上述技术问题,本发明构造了一种液晶显示面板,其包括:
第一基板,在靠近液晶层的一侧设置有第一配向膜;
所述液晶层,位于所述第一基板和第二基板之间;
所述第二基板,与所述第一基板相对设置,所述第二基板在靠近所述液晶层的一侧设置有第二有配向膜;
其中所述第一配向膜和所述第二有配向膜的材料都为有机 高分子聚合物,所述第一配向膜和所述第二有配向膜中至少一个配向膜的有机高分子聚合物的分子结构中含砜基取代基。
在本发明的所述液晶显示面板中,所述有机高分子聚合物包括主链和侧链;所述砜基取代基位于所述主链或者所述侧链中。
在本发明的所述液晶显示面板中,所述有机高分子聚合物为聚酰亚胺或聚酰胺酸。
在本发明的所述液晶显示面板中,所述聚酰亚胺和所述聚酰胺酸都是由二胺单体和二酐单体合成;
所述砜基取代基位于所述在二胺单体或者所述二酐单体中。
在本发明的所述液晶显示面板中,所述第一基板预先涂布有配向液,所述第一配向膜是通过对涂布有所述配向液的第一基板进行光配向技术处理得到的;
所述第二基板预先涂布有配向液,所述第二配向膜是通过对涂布有所述配向液的第二基板进行光配向技术处理得到的。
本发明还提供一种液晶显示装置,其包括:
背光模块;以及
液晶显示面板,其包括:
第一基板,在靠近液晶层的一侧设置有第一配向膜;
所述液晶层,位于所述第一基板和第二基板之间;
所述第二基板,与所述第一基板相对设置,所述第二基板在 靠近所述液晶层的一侧设置有第二有配向膜;
其中所述第一配向膜和所述第二有配向膜的材料都为有机高分子聚合物,所述第一配向膜和所述第二有配向膜中至少一个配向膜的有机高分子聚合物的分子结构中含砜基取代基。
在本发明的所述液晶显示装置中,所述有机高分子聚合物包括主链和侧链;所述砜基取代基位于所述主链或者所述侧链中。
在本发明的所述液晶显示装置中,所述有机高分子聚合物为聚酰亚胺或聚酰胺酸。
在本发明的所述液晶显示装置中,所述聚酰亚胺和所述聚酰胺酸都是由二胺单体和二酐单体合成;
所述砜基取代基位于所述在二胺单体或者所述二酐单体中。
在本发明的所述液晶显示装置中,所述第一基板预先涂布有配向液,所述第一配向膜是通过对涂布有所述配向液的第一基板进行光配向技术处理得到的;
所述第二基板预先涂布有配向液,所述第二配向膜是通过对涂布有所述配向液的第二基板进行光配向技术处理得到的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510252403.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种配向膜的形成方法
- 下一篇:可调磁场的磁铁旋光组件及光隔离器