[发明专利]像素结构

权利要求书

1.一种像素结构，用以驱动一发光二极管，其特征在于，包括：

一驱动晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，其第二端耦接至该发光二极管或一操作电源，其控制端接收一偏压电压；

一耦合开关，耦接在该驱动晶体管的控制端与第一端间，依据一扫描信号以导通或断开；

一扫描开关，其第一端接收一显示数据电压，该扫描开关受控于该扫描信号以导通或断开；

一电容，其第一端耦接该扫描开关的第二端，该电容的第二端提供该偏压电压至该驱动晶体管的控制端；

一激光开关，耦接在该操作电源以及该驱动晶体管的第一端间，或耦接在该驱动晶体管的第一端与该发光二极管间，依据一激光控制信号以导通或断开；以及

一设定开关，耦接在一参考电压以及该扫描开关的第二端间，依据该激光控制信号以导通或断开。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该激光开关以及该设定开关实质上同时被导通或断开，该扫描开关以及该耦合开关实质上同时被导通或断开。

3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，当该驱动晶体管的第二端耦接至该发光二极管且该激光开关耦接在该操作电源以及该驱动晶体管的第一端间时，在一重置时间周期中，该激光开关、该设定开关、该扫描开关以及该耦合开关被导通；在一第一补偿时间周期中，该激光开关及该设定开关被断开，且该扫描开关以及该耦合开关被导通；在一第二补偿时间周期中，该激光开关、该设定开关、该扫描开关以及该耦合开关被断开；在一激光时间周期中，该激光开关以及该设定开关被导通，且该扫描开关以及该耦合开关被断开。

4.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，在该重置时间周期中，该偏压电压实质上等于该操作电源；在该第一及第二补偿时间周期中，该偏压电压实质上等于Vth+VOLED+OVSS，其中，Vth为该驱动晶体管的临界电压，VOLED为该发光二极管的临界电压，OVSS为一参考接地电压；并且，在该激光时间周期中，该偏压电压实质上等于VSUS–VDATA+Vth+VOLED+OVSS，其中，VDATA为该显示数据电压，VSUS为该参考电压，该驱动晶体管依据该偏压电压以驱动该发光二极管。

5.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，该参考电压的电压值不大于该操作电源的电压值，且该参考电压的电压值大于该显示数据电压的电压值。

6.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，当该驱动晶体管的第二端耦接至该操作电源且该激光开关耦接在该驱动晶体管的第一端与该发光二极管间时，在一重置时间周期中，该激光开关、该设定开关、该扫描开关以及该耦合开关被导通；在一第一补偿时间周期中，该激光开关及该设定开关被断开，且该扫描开关以及该耦合开关被导通；在一第二补偿时间周期中，该激光开关、该设定开关、该扫描开关以及该耦合开关被断开；在一激光时间周期中，该激光开关以及该设定开关被导通，且该扫描开关以及该耦合开关被断开。

7.如权利要求6所述的像素结构，其特征在于，在该第一及第二补偿时间周期中，该偏压电压实质上等于OVDD–Vth，其中，OVDD为该操作电源，Vth为该驱动晶体管的临界电压；并且，在该激光时间周期中，该偏压电压实质上等于VSUS–VDATA+OVDD–Vth，其中，VDATA为该显示数据电压，VSUS为该参考电压，该驱动晶体管依据该偏压电压以驱动该发光二极管。

8.如权利要求6所述的像素结构，其特征在于，该显示数据电压的电压值不大于该操作电源的电压值，且该显示数据电压的电压值大于该参考电压的电压值的电压值。

9.如权利要求3或6所述的像素结构，其特征在于，该重置时间周期在该第一补偿时间周期前，该第一补偿时间周期在该第二补偿时间周期前，且该第二补偿时间周期在该激光时间周期前。

10.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，更包括：

一辅助开关，耦接在该驱动晶体管耦接该发光二极管的路径间，该辅助开关依据一辅助控制信号以导通或断开，

其中，该辅助开关依据该辅助控制信号在该重置时间周期中被断开。