[发明专利]一种使用激光直写制备微电路的方法在审
| 申请号： | 201510198249.2 | 申请日： | 2015-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN104846348A | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 张建明;刘前 | 申请（专利权）人： | 苏州华维纳纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/58 | 分类号： | C23C14/58 |
| 代理公司： | 苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙) 32239 | 代理人： | 丁秀华 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 使用 激光 制备 电路 方法 | ||
1.一种使用激光直写制备微电路的方法，该方法包括以下步骤：
步骤1)：选取基底，对其进行清洗和干燥处理；
步骤2)：对基底采用物理气相沉积工艺，生长一层非晶态无机相变材料薄膜；
步骤3)：先使用激光在所生长的非晶态无机相变材料薄膜上直写出所设计图案，并通过激光照射使刻写部分的薄膜由非晶态转变为晶态。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤3)包括：使用激光直写对需要微电路的薄膜部位进行直写，所述非晶态无机相变材料薄膜为GST或GBST或GSST薄膜。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底为玻璃材质基片、单晶基片或高分子聚合物，且基底为硬或软的基片。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述玻璃材质基片包括普通盖玻片、载玻片或石英玻璃；所述单晶基片包括单晶Si片、砷化镓基片、氮化镓基片。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述高分子聚合物基底为绝缘材质的柔性基片，其包括PMMA，PC基片。
6.根据权利要求1所述的方法，所述步骤2)中的物理气相沉积工艺为直流磁控溅射、或射频磁控溅射、或离子溅射、或激光脉冲沉积。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所刻写的微电路结构的宽度从纳米尺度到微米尺度，所述激光照射的能量密度范围为0.3-3J/cm2。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜的厚度为20nm-500nm，表面粗糙度的范围2-10nm。
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