[发明专利]低功耗两级放大器STT‑RAM读取电路的控制方法有效

专利信息
申请号: 201510190009.8 申请日: 2015-04-21
公开(公告)号: CN104795089B 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 魏榕山;王珏;郭仕忠;于静;胡惠文;张泽鹏;何明华 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: G11C7/06 分类号: G11C7/06
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司35100 代理人: 蔡学俊
地址: 350002 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 功耗 两级 放大器 stt ram 读取 电路 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种低功耗两级放大器STT-RAM读取电路的控制方法,其特征在于:包括如下步骤,

步骤S1:提供一低功耗STT-RAM读取电路,包括控制电路、并行磁隧道结、开环放大器、控制逻辑电路、第一反相器、第一D触发器、第二D触发器、时钟输出模块;所述控制电路、并行磁隧道结、开环放大器两两相互连接,所述开环放大器还连接至所述控制逻辑电路和第一反相器,所述第一反相器与所述第一D触发器和第二D触发器连接,所述时钟输出模块的第一时钟信号输出端和第二时钟信号输出端分别与所述第一D触发器和第二D触发器的时钟控制输入端连接,所述控制逻辑电路还连接有一用于提供参考电压的外部电压输出电路,该外部电压输出电路输出第一、第二、第三参考电压,且满足:第三参考电压<第二参考电压<第一参考电压;

步骤S2:通过控制电路控制低功耗STT-RAM读取电路进入工作状态;

步骤S3:通过控制电路产生的预定电流流经所述并行磁隧道结,产生读取电压,由于并行磁隧道结中的4种存储数据分别对应4种的读取电压,即存储数据11、10、01、00与读取电压V11、V10、V01、V00相对应;

步骤S4:设定V11<第三参考电压<V10<第二参考电压<V01<第一参考电压<V00,通过所述控制逻辑电路将读取电压与第二参考电压进行比较,即可得并行磁隧道结中的存储数据的高位;

步骤S5:若读取电压大于第二参考电压,则并行磁隧道结产生的读取电压为V01、V00,即可知并行磁隧道结所存储的数据的高位为0,并经所述开环放大器、第一反相器输出高电平,此时,时钟输出模块的第一时钟信号输出端产生一个时钟信号,控制第一D触发器存储高位数据,第一D触发器存储高位数据完成后执行步骤S6;若读取电压小于第二参考电压,则并行磁隧道结产生的读取电压为V11、V10,即可知并行磁隧道结所存储的数据的高位为1,并经所述开环放大器、第一反相器输出低电平,此时,时钟输出模块的第一时钟信号输出端产生一个时钟信号,控制第一D触发器存储高位数据,第一D触发器存储高位数据完成后执行步骤S7;

步骤S6:将读取电压与第一参考电压比较,若读取电压大于第一参考电压,则并行磁隧道结产生的读取电压为V00,即可知并行磁隧道结所存储的数据的低位为0,并经所述开环放大器、第一反相器输出高电平,此时,时钟输出模块的第二时钟信号输出端产生一个时钟信号,控制第二D触发器存储低位数据;若读取电压小于第一参考电压,则并行磁隧道结产生的读取电压为V01,即可知并行磁隧道结所存储的数据的低位为1,并经所述开环放大器、第一反相器输出低电平,此时,时钟输出模块的第二时钟信号输出端产生一个时钟信号,控制第二D触发器存储低位数据,完成并行磁隧道结的数据读取;

步骤S7:将读取电压与第三参考电压比较,若读取电压大于第三参考电压,则并行磁隧道结产生的读取电压为V10,即可知并行磁隧道结所存储的数据的低位为0,并经所述开环放大器、第一反相器输出高电平,此时,时钟输出模块的第二时钟信号输出端产生一个时钟信号,控制第二D触发器存储低位数据;若读取电压小于第三参考电压,则并行磁隧道结产生的读取电压为V11,即可知并行磁隧道结所存储的数据的低位为1,并经所述开环放大器、第一反相器输出低电平,此时,时钟输出模块的第二时钟信号输出端产生一个时钟信号,控制第二D触发器存储低位数据,完成并行磁隧道结的数据读取;

步骤S8:并行磁隧道结的数据读取完成后,通过控制电路控制低功耗STT-RAM读取电路进入待机状态。

2.根据权利要求1所述的一种低功耗两级放大器STT-RAM读取电路的控制方法,其特征在于:所述第一D触发器和第二D触发器的反相输出端分别输出所述并行磁隧道结中存储数据的高位和低位,以获得真实的并行磁隧道结存储数据。

3.根据权利要求1所述的一种低功耗两级放大器STT-RAM读取电路的控制方法,其特征在于:所述控制电路包括信号控制器、第二反相器、第十至第十二MOS管,所述信号控制器的控制端口与所述第二反相器的输入端、第十一MOS管的栅极及第十二MOS管的栅极连接,所述第二反相器的输出端与所述第十MOS管的栅极连接,所述第十MOS管的漏极、第十一MOS管的漏极连接至所述开环放大器,所述第十MOS管的源极接地,所述第十二MOS管的漏极连接至所述并行磁隧道结,所述第十二MOS管的源极接地。

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