[发明专利]太阳能晶硅电池扩散工艺有效
| 申请号： | 201510175303.1 | 申请日： | 2015-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN104868013B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 刘进;张广强;张之栋;郭卫;崔龙辉 | 申请（专利权）人： | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/225 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司14101 | 代理人： | 李富元 |
| 地址： | 046000 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能 电池 扩散 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.太阳能晶硅电池扩散工艺，其特征在于按照如下的步骤进行：
步骤一、扩散，将硅片放入扩散炉中，保持载舟温度为700-780℃，以2-10℃/min的速率升温至720-790℃进行扩散，按照氮气流量10L/min、三氯氧磷流量1400ml/min、氧气流量180ml/min的标准进行扩散，时间为8min；
步骤二、推进一，以787℃为基础温度，按照6℃/min的速率升温至847℃，开始推进工艺，保持氮气流量为15L/min，推进10min；
步骤三、推进二，以847℃为基础温度，以6℃/min的速率降温至750℃，推进30min，保持氧气流量为200ml/min；
步骤四、让扩散炉自然冷却后取出硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
