[发明专利]一种晶片曝光设备及其曝光方法

权利要求书

1.一种晶片曝光方法，包括以下步骤：

步骤1：提供一曝光设备，所述曝光设备包括光源、物镜、光罩板及承载光罩板的光罩载台、表面涂覆有光阻的晶片及承载晶片的晶片载台，位于所述晶片载台上方并对晶片进行扫描的可移动式第一光学成像系统；所述第一光学成像系统扫描所述晶片正面获取晶片图像并传输至控制系统；

步骤2：所述控制系统调取预存的第一光罩图像，并生成同时具有所述晶片图像和第一光罩图像特征的模拟图像，所述第一光罩图像与晶片图像上的光罩图案一致；

步骤3：所述控制系统调取预存的第二光罩图像，并使所述第二光罩图像与所述模拟图像对准，同时所述控制系统调整所述晶片载台的位置，使所述晶片和光罩板对准；

步骤4：所述光源发出曝光光波穿过所述光罩板上的光罩图案照射到所述晶片上进行曝光。

2.根据权利要求1所述的一种晶片曝光方法，其特征在于：所述晶片图像、模拟图像、第一光罩图像、第二光罩图像均采用不同颜色填充以便区分。

3.一种晶片曝光方法，包括以下步骤：

步骤1：提供一曝光设备，所述曝光设备包括光源、物镜、光罩板及承载光罩板的光罩载台、表面涂覆有光阻的晶片及承载晶片的晶片载台，位于所述晶片载台上方并对晶片进行扫描的可移动式第一光学成像系统，位于晶片载台下方的第二光学成像系统以及控制系统；所述第二光学成像系统对所述晶片背面拍照获取第一晶片图像并传输至控制系统，所述控制系统在所述第一晶片图像上选取若干个参考点；

步骤2：所述第一光学成像系统扫描所述参考点对应的所述晶片正面位置获取第二晶片图像；

步骤3：所述第一晶片图像和第二晶片图像在所述控制系统内转化成同时具有所述第一晶片图像和第二晶片图像特征的晶片图像；

步骤4：所述控制系统调取预存的第一光罩图像，并生成同时具有所述晶片图像和第一光罩图像特征的模拟图像，所述第一光罩图像与晶片图像上的光罩图案一致；

步骤5：所述控制系统调取预存的第二光罩图像，并使所述第二光罩图像与所述模拟图像对准，同时所述控制系统调整所述晶片载台的位置，使所述晶片和光罩板对准；

步骤6：所述光源发出曝光光波穿过所述光罩板上的光罩图案照射到所述晶片上进行曝光。

4.根据权利要求3所述的一种晶片曝光方法，其特征在于：第一晶片图像、第二晶片图像、晶片图像、模拟图像、第一光罩图像、第二光罩图像均采用不同颜色填充以便区分。

5.根据权利要求1或3所述的一种晶片曝光方法，其特征在于：所述第一光罩图像和第二光罩图像上的光罩图案相同或不同。

6.根据权利要求1或3所述的一种晶片曝光方法，其特征在于：所述第一光罩图像和第二光罩图像上分别设置位置对应的第一标记和第二标记，所述第一标记和第二标记相同。

7.根据权利要求1或3所述的一种晶片曝光方法，其特征在于：所述晶片载台与模拟图像行为同步。

8.根据权利要求3所述的一种晶片曝光方法，其特征在于：所述参考点位于所述第一晶片图像的边缘，其尺寸与所述晶片上晶粒尺寸一致。

9.根据权利要求1或3所述的一种晶片曝光方法，其特征在于：所述晶片包括曝光标记缺失的破损晶片，以及具有完整曝光标记但曝光标记未落入所述物镜视野范围的大尺寸或小尺寸的晶片。

10.根据权利要求3所述的一种晶片曝光方法，其特征在于：所述第一光学成像系统和第二光学成像系统为电荷耦合元件。

11.根据权利要求3所述的一种晶片曝光方法，其特征在于：所述第二光学成像系统可相对于所述晶片载台移动或固定于所述晶片载台的正下方。

12.根据权利要求3所述的一种晶片曝光方法，其特征在于：所述第一光学成像系统和第二光学成像系统所使用的光波均为非曝光光波。

13.根据权利要求1或3所述的一种晶片曝光方法，所述第一光学成像系统为高分辨率的电荷耦合元件。

14.根据权利要求3所述的一种晶片曝光方法，其特征在于：所述第二光学成像系统为高分辨率或低分辨率的电荷耦合元件。

15.根据权利要求1或3所述的一种晶片曝光方法，其特征在于：所述晶片载台为透明晶片载台，所示透明晶片载台可相对于所示光罩载台升降。