[发明专利]一种阵列基板、液晶面板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板、液晶面板及显示装置。

背景技术

在平板显示装置中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。

目前，TFT-LCD的显示模式主要有TN(Twisted Nematic，扭曲向列)模式、VA(Vertical Alignment，垂直取向)模式、IPS(In-Plane-Switching，平面方向转换)模式和AD-SDS(ADvanced Super Dimension Switch，高级超维场转换技术，简称ADS)模式等。

其中，基于ADS模式的显示器通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极与板状电极间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方的取向液晶分子产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。

ADS模式的阵列基板通常包括呈阵列排布的多个像素单元，每个像素单元对应包含有薄膜晶体管、栅线、数据线、板状电极以及位于板状电极上方的狭缝电极，狭缝电极包括多个电极条，相邻的电极条之间具有狭缝。

图1a为现有技术中像素单元右下方的狭缝区域的液晶分子偏转及模拟光效示意图；图1b为现有技术中液晶面板对应像素单元右下方的狭缝区域的截面示意图；图1c为现有技术中像素单元的实际点亮图。如图1a和图1b所示，现有ADS模式的显示装置在显示时，由于该部分狭缝的宽度较大，这使得电场对某些位置的液晶分子的锚定力比较弱，如果显示装置进行画面内容的切换，则这些位置液晶分子的偏转角度会比较小，从而产生暗区。如图1c所示，像素单元在实际点亮时，该暗区会沿着液晶分子的取向方向移动较大的位移，从而无法被黑矩阵遮挡。宏观上，从显示装置的屏幕会看到残影，这严重影响到用户的视觉体验。

发明内容

本发明实施例的目的是提供一种阵列基板、液晶面板及显示装置，以改善显示装置的残影现象，提高显示装置的显示品质。

本发明实施例提供了一种阵列基板，包括由多条栅线和多条数据线交叉界定的呈阵列排布的多个像素单元，每个像素单元对应包含有薄膜晶体管、板状电极以及位于板状电极上方的狭缝电极，所述狭缝电极包括多个电极条，相邻的电极条之间具有狭缝，其中，所述狭缝电极的各条狭缝的两端分别具有拐角。

在本发明实施例的技术方案中，狭缝电极的各条狭缝的两端分别具有拐角，拐角形状设计可以减小狭缝宽度，从而增大控制液晶分子偏转的电场强度。当显示装置进行画面内容切换时，大部分液晶分子能够迅速偏转，从而使得光效增大，暗区减弱，并且，暗区不会产生移位，可以设计地被黑矩阵遮挡，因此，在宏观上不可见。通过该方案，可以显著改善显示装置的残影现象，提高显示装置的显示品质。

优选的，靠近所述栅线的拐角朝向所述数据线，远离所述栅线的拐角背向所述数据线。采用该结构设计，像素单元开口区的液晶分子旋向基本相同，液晶分子的排列较为统一、整齐、规则。

优选的，所述拐角角度为30度～60度。

更优的，所述拐角角度为45度。

优选的，所述狭缝电极中，位于边界的电极条覆盖所述数据线，且所述位于边界的电极条的每一侧边至所述数据线的距离≥3.0微米。

优选的，所述狭缝的宽度≥3.6微米。

本发明实施例还提供了一种液晶面板，包括：如前述任一技术方案所述的阵列基板。将该液晶面板应用于显示装置，残影现象可以被较好的改善，从而使显示装置具有较佳的显示品质。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括前述实施例所述的液晶面板。该显示装置无残影现象，具有较高的显示品质。

附图说明

图1a为现有技术中像素单元右下方的狭缝区域的液晶分子偏转及模拟光效示意图；

图1b为现有技术中液晶面板对应像素单元右下方的狭缝区域的截面示意图；

图1c为现有技术中像素单元的实际点亮图；

图2a为本发明一实施例阵列基板的像素结构示意图；

图2b为本发明另一实施例阵列基板的像素结构示意图；

图3a为本发明实施例中像素单元右下方的狭缝区域的液晶分子偏转及模拟光效示意图；