[发明专利]写入驱动器、包括写入驱动器的阻变存储装置和操作方法

说明书

一种写入驱动器被配置成响应于根据在从写入驱动器到编程目标单元的路径上的寄生组件以及编程目标单元的电阻值而生成的控制码来确定预加重电流脉冲的施加时间和幅度，并且通过在编程模式下使预加重电流与预设编程电流相加来将预设编程电流供应给存储器电路块。

相关申请的交叉引用

本申请要求在2014年8月5日提交韩国知识产权局的申请号为10-2014-0100444的韩国申请的优先权，其整体内容通过引用合并于此。

技术领域

各种实施例通常涉及一种半导体集成电路，且更具体涉及一种写入驱动器、一种包括该写入驱动器的阻变存储装置和一种操作方法。

背景技术

在非易失性存储器之中，诸如相变RAM和电阻式RAM之类的阻变存储元件根据数据储存材料的电阻状态来限定信息储存状态。在阻变存储元件中，在编程操作中施加编程电流，使得数据储存材料可以具有期望的电阻状态。

编程电流脉冲的上升斜率的减小意味着所需的电流量未被传输到目标单元并且目标数据未被写入。因此，为了写入目标数据，有必要重复编程过程和验证过程若干次。

在该情形下，可以采用考虑根据从写入驱动器到单元的路径所确定的时间常数来补偿编程电流脉冲的方法。然而，如果仅考虑根据从写入驱动器到单元的路径所确定的时间常数，则根据编程之前单元的电阻状态很有可能出现过冲现象。

发明内容

在一个实施例中，一种写入驱动器可以被配置成响应于根据存在于从写入驱动器到编程目标单元的路径上的寄生组件以及编程目标单元的电阻值而生成的控制码来确定预加重电流脉冲的施加时间和幅度。另外，写入驱动器可以被配置成通过在编程模式下使预加重电流与预设编程电流相加来将预设编程电流供应给存储器电路块。

在一个实施例中，一种阻变存储装置可以包括存储器电路块，存储器电路块包括多个阻变存储器单元。阻变存储装置还可以包括控制器，控制器被配置成根据在从写入驱动器到编程目标单元的路径上的寄生组件以及在写入模式下编程目标单元的电阻值来生成控制码。另外，阻变存储装置可以包括写入驱动器，写入驱动器被配置成响应于控制码来确定预加重电流脉冲的施加时间和幅度，并且通过使预加重电流与预设编程电流相加来将预设编程电流供应给存储器电路块。

在一个实施例中，一种阻变存储装置的编程方法可以包括响应于写入命令来读取编程目标单元的电阻值。该编程方法还可以包括根据在从写入驱动器到编程目标单元的路径上的寄生组件以及编程目标单元的电阻值来生成控制码。此外，该编程方法可以包括通过使预加重电流与编程电流相加来将具有根据控制码确定的施加时间和幅度的预加重电流脉冲供应给编程目标单元。

附图说明

图1是图示根据一个实施例的阻变存储装置的示例表示的配置图。

图2是图示图1中所示的控制码生成单元的示例表示的配置图。

图3是图示根据一个实施例的写入驱动器的示例表示的配置图。

图4是图示根据一个实施例的写入驱动器的示例表示的电路图。

图5是协助解释根据一个实施例的阻变存储装置的操作的时序图的示例表示。

图6和图7是协助解释根据一个实施例的阻变存储装置的操作的流程图的示例表示。

图8是根据一个实施例的协助解释按目标单元的时间常数进行缩放的编程电流脉冲的形状的示图的示例表示。

图9是协助解释根据输入编程电流和预加重电流的编程电流脉冲的形状的示图的示例表示。

图10至图14是协助解释根据实施例的系统的示图的示例表示。

具体实施方式