[发明专利]制造微机电元件的方法以及该微机电元件

权利要求书

1.一种制造微机电元件的方法，所述微机电元件包括微机电芯片部件(46)和电子电路部件(74)，所述方法包括：

由覆盖部件密封微机电芯片部件(46)，所述覆盖部件包含用于穿过所述覆盖部件提供电连接的引入结构；

借助于第一结合构件将所述微机电芯片部件(46)结合至所述电子电路部件(74)的第一表面，用以将所述微机电芯片部件(46)和所述电子电路部件(74)彼此结合，其中所述微机电芯片部件(46)的所述覆盖部件面对所述电子电路部件(74)，并且所述电子电路部件(74)的所述第一表面大于所述微机电芯片部件(46)，

靠近所述微机电芯片部件(46)，在所述电子电路部件(74)的所述第一表面上制造用于所述微机电元件的外部连接的第二结合构件(84，85)，

所述第二结合构件(84，85)为凸起连接件，其中所述突起连接件的高度至少等于所述微机电芯片部件(46)和所述第一结合构件的总高度。

2.根据权利要求1所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，所述微机电芯片部件(46)通过倒装芯片法结合至所述电子电路部件(74)的所述第一表面上，所述覆盖部件面对所述电子电路部件(74)的所述第一表面。

3.根据权利要求1或2所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，所述电子电路部件(74)和所述微机电芯片部件(46)的所述覆盖部件之间的窄隙用底层填料(80)填充。

4.一种微机电元件，包括：

由覆盖部件(24)密封的微机电芯片部件(46)，所述覆盖部件(24)包含用于穿过所述覆盖部件提供电连接的引入结构，以及

电子电路部件(74)，其中

借助于第一结合构件，所述微机电芯片部件(46)结合至所述电子电路部件(74)的第一表面，所述微机电芯片部件(46)的所述覆盖部件面对所述电子电路部件(74)；

所述电子电路部件(74)的所述第一表面大于所述微机电芯片部件(46)，并且靠近所述微机电芯片部件(46)，所述电子电路部件(74)的所述第一表面包括用于所述微机电元件的外部连接的第二结合构件(84-85)，并且

所述第二结合构件(84-85)是突起连接件，其中所述突起连接件的高度至少等于所述微机电芯片部件(46)和所述第一结合构件的总高度。

5.根据权利要求4所述的微机电元件，其特征在于，在所述覆盖部件(24)的表面上制造重分布层(55)。

6.根据权利要求5所述的微机电元件，其特征在于，通过所述重分布层(55)，在所述覆盖部件(24)的导电区(25-27)、(29-31)、(34-36)、(42-44)与所述第一结合构件(61-63)之间建立导电连接。

7.根据权利要求5或6所述的微机电元件，其特征在于，通过所述重分布层(55)，在所述第一结合构件(61-63)与所述第二结合构件(69-70)、(84-85)之间建立导电连接。

8.根据权利要求5或6所述的微机电元件，其特征在于位于所述覆盖部件(24)的所述表面和所述重分布层(55)之间的介电层(54)、(56)、(58)。

9.根据权利要求5或6所述的微机电元件，其特征在于位于所述重分布层(55)的顶上的保护层(60)。

10.根据权利要求9中所述的微机电元件，其特征在于，在所述覆盖部件(24)的所述重分布层(55)的顶上，并在所述保护层(60)的开口中制造所述第一结合构件(61-63)。

11.根据权利要求4所述的微机电元件，其特征在于，所述电子电路部件(64)与所述微机电芯片部件(46)的所述覆盖部件(24)之间的窄隙用底层填料(65)填充。

12.根据权利要求11所述的微机电元件，其特征在于在所述微机电元件上方铸造的塑铸封壳(68)。

13.根据权利要求4所述的微机电元件，其特征在于，

所述微机电芯片部件(46)通过倒装芯片法结合至所述电子电路部件(74)的所述第一表面上，所述覆盖部件面对所述电子电路部件(74)的所述第一表面。

14.根据权利要求4所述的微机电元件，其特征在于，所述微机电元件的电子电路部件(64)、(74)具有电信号处理的能力。