[发明专利]一种磷、硼液态源一次全扩散工艺

权利要求书

1.一种磷、硼液态源一次全扩散工艺，其特征在于：包括如下步骤：

1)、硅片双面减薄：使用硝酸、氢氟酸、冰乙酸，按照3:1:1的比例对原始硅片进行双面腐蚀，去除表面损伤层；

2)、扩散前清洗：通过酸、碱、去离子水超声清洗工序，对硅片表面进行化学处理；

3)、涂硼源：在清洗后的硅片的表面均匀涂上硼源，所述硼源的浓度为1％～15％，纯度为99.9％；

4)、第一次烘烤：将涂硼源后的硅片进行烘烤，温度为60～80℃，时间为10分钟；

5)、涂磷源：在烘烤后的硅片的背面均匀涂上磷源，所述磷源的浓度为1％～20％，纯度为99.9％；

6)、第二次烘烤：将涂双面源后的硅片进行烘烤，温度为60～80℃，时间为20～40分钟；

7)、叠片、装舟：在涂硼源面撒少许硅粉，然后把硅片两两相对，即磷源面与磷源面，硼源面与硼源面相对叠在一起，竖立摆在硅舟上，并用硅块挤紧；

8)、扩散：将装舟的硅片在1270～1275℃进行扩散，形成扩散结；

9)、扩散后处理：用酸浸泡、去离子水超声清洗，使硅片分离，并去除表面氧化层。

2.根据权利要求1所述的一种磷、硼液态源一次全扩散工艺，其特征在于：所述步骤3)中，将硅片放置在旋转器上，将硼源滴在硅片的表面中心，启动旋转器使硅片旋转，旋转器的转速为3000～4000转/分钟。

3.根据权利要求1或2所述的一种磷、硼液态源一次全扩散工艺，其特征在于：所述步骤5)中，将硅片反过来放置在旋转器上，将磷源滴在硅片的背面中心，启动旋转器使硅片旋转，旋转器的转速为3000～4000转/分钟。