[发明专利]一种热浸镀含硅Galfan合金镀层及热浸镀方法在审
| 申请号: | 201510095488.5 | 申请日: | 2015-03-04 |
| 公开(公告)号: | CN104818444A | 公开(公告)日: | 2015-08-05 |
| 发明(设计)人: | 王建华;李凯良;苏旭平;涂浩;彭浩平 | 申请(专利权)人: | 常州大学 |
| 主分类号: | C23C2/06 | 分类号: | C23C2/06;C22C18/04 |
| 代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 楼高潮 |
| 地址: | 213164 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 热浸镀含硅 galfan 合金 镀层 热浸镀 方法 | ||
1.一种含硅的热浸镀Galfan合金镀层,其特征在于:所述热浸镀Galfan合金镀层含有质量百分比为0.01%~0.1%的硅。
2.如权利要求1所述的一种含硅的热浸镀Galfan合金镀层,其特征在于:组分,按照重量百分比计算为:铝:4.5~5.5;镧铈混合稀土:0.01~0.1;硅:0.01~0.1;不可避免的杂质:≤0.5;锌:余量。
3.如权利要求1所述的一种含硅的热浸镀Galfan合金镀层的热浸镀方法,包括熔炼含硅的热浸镀Galfan合金镀层的步骤,对钢铁材料进行镀前处理的步骤和热浸镀的步骤,其特征在于:热浸镀的温度控制在480℃~500℃,浸镀时间为30s~180s。
4.如权利要求1所述的一种含硅的热浸镀Galfan合金镀层的热浸镀方法,其特征在于熔炼含硅的热浸镀Galfan合金镀层的步骤为:将含硅Galfan合金按照Zn-(4.5~5.5)%Al-(0.01%~0.1%)RE-(0.01%~0.1)Si进行配比,在混合覆盖剂覆盖下在中频感应镀锌炉中熔炼;熔炼合金时,Si以Al-30Si中间合金的形式加入到熔融的合金液中,加入时炉温设置为700℃,然后进行充分的搅拌,使得硅元素充分的溶解,避免硅元素偏析;待合金充分熔融后,用铝箔纸包裹着稀土加入到熔池底部,以减少稀土的烧损和氧化;待稀土熔化均匀之后,将中频感应镀锌炉降至480℃~500℃。
5.如权利要求4所述的一种含硅的热浸镀Galfan合金镀层的热浸镀方法,其特征在于:在熔炼含硅的热浸镀Galfan合金镀层的步骤中,使用一种混合熔盐作为覆盖剂,用以除去熔池表面的杂质,该混合熔盐成分组成按照重量百分比计算为:46%~55%氯化钠、30%~38%氯化钾、5%~10%氯化锂、3%~6%氟铝酸钠和5.5%~8%氟化钾。
6.如权利要求1所述的一种含硅的热浸镀Galfan合金镀层的热浸镀方法,其特征在于对钢铁材料进行镀前处理的步骤为:采用质量分数为15%的NaOH溶液在70~80℃下对镀件进行碱洗1min~2min,以除去基体表面的油脂;水洗之后在室温下进行酸洗,酸溶液是质量分数为15%的HCl溶液,酸洗时间为2min~
4min,用以去除基体表面铁锈;水洗,进行助镀处理,助镀剂采用NH4Cl+ZnCl2+
SnCl2混合助镀,作用是使镀件表面在镀前具有一定的活性,增强镀件基体与镀层的结合力;将助镀好的镀件放在鼓风干燥箱中干燥10min~15min。
7.如权利要求1所述的一种含硅的热浸镀Galfan合金镀层的热浸镀方法,其特征在于热浸镀的步骤具体为:在进行浸镀之前,必须保证熔池温度在本发明所述480℃~500℃范围内,之后刮开混合熔盐覆盖剂,获得清洁的熔池表面,将烘干的镀件以不低于10cm/s的速度放入熔池中;浸镀时间为30s~180s,由于所用助镀剂为NH4Cl、ZnCl2、SnCl2混合盐溶液,故镀件浸没到合金液之后,会使锌池表面发烟,污染锌池表面,故在取出镀件之前,还应进行一次熔池表面刮渣,以获得清洁表面,浸镀完成后,以不高于2 cm/s的速度取出镀件,放入水中迅速冷却。
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