[发明专利]光发射器

说明书

一种光发射器，包含一沿着一第一方向延伸的干涉区，在干涉区两相对端形成的两个反射区及电性耦合到干涉区的三个电极，其中经由改变此三个电极之间的相对电场，可以调变在干涉区内的载子量及其产生的光子量。在干涉区内产生的光子可藉此被调变且沿着第一方向共振。该共振光可沿着一第二方向出射，且此第二方向不同于第一方向。

技术领域

本发明涉及一种光发射器。

背景技术

光线于一光集成电路内传导，且此光线经由在此光集成电路上的一光栅达成一行进角度变换而耦合至一外部媒介。此光集成电路因此可免除传统的芯片切割及抛光而在晶圆(圆片)上做测试，因而降低其封装或测试的成本。

此外，传统光发射器(如激光二极管)的高速调变方式大多是使用外部调变器，所以对于封装及调变速度而言，仍有改进之处。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可提升调变速度的光发射器。

为达成本发明上述目的，本发明提供一种光发射器，包含：一干涉区，形成于一第一反射区及一第二反射区之间且沿着一第一方向延伸；一第一电极及一第二电极电性耦合至该干涉区且在施加电场之后可将载子注入干涉区，以使干涉区产生光线；一第三电极电性耦合至该干涉区，经由在该第一及第三电极间、或在第二及第三电极间、或上述组合施加电场，即可调变在干涉区结合的载子量；其中在该干涉区产生的光线沿着该第一方向共振且由一第二方向射出该干涉区，该第二方向不同于该第一方向。

在本发明光发射器的部分实施例中，更包含：一光栅区耦合至该干涉区且可将光线由该第二方向导离该干涉区。

在本发明光发射器的部分实施例中，该第二方向大致垂直该第一方向。

在本发明光发射器的部分实施例中，该干涉区包含至少两种不同三五族半导体材料，且该第一电极与该第三电极是实体接触该干涉区的不同材料。

在本发明光发射器的部分实施例中，更包含一介电层形成于该第三电极及该干涉区之间，该第三电极是经由一电容效应以调变在该干涉区结合的载子量。

在本发明光发射器的部分实施例中，该第一反射区或该第二反射区包含一全反射角镜面，一分布式布拉格反射镜(DBR)，一色散镜面，一波导回圈反射镜，或一金属镜面。

在本发明光发射器的部分实施例中，该第一电极、该第二电极或该第三电极包含一导电层及一半导体掺杂区。

在本发明光发射器的部分实施例中，该第三电极是依序施加至少两种不同电压位准。

在本发明光发射器的部分实施例中，该光栅区的光栅周期大致匹配该干涉区内光线的一干涉周期。

在本发明光发射器的部分实施例中，该光栅具有光栅谷或是光栅峰，且该光栅的晶格向量可使该干涉区的同相位反节点的位置和光栅谷及/或光栅峰的位置大致上匹配。

在本发明光发射器的部分实施例中，该干涉区的等效折射率是低于该光栅区的等效折射率。

在本发明光发射器的部分实施例中，该第三电极与该干涉区的一部分接触，且该接触部分不与光栅区重叠。

在本发明光发射器的部分实施例中，其中由该光栅区所发射的光可至少穿透过部分的第三电极。

为达成本发明上述目的，本发明提供一种形成光发射器的方法，包含：形成一干涉区及一光源区，其中该光源区至少一部分崁入该干涉区；在该干涉区的两相对端形成一第一反射区及一第二反射区，其中该第一反射区及一第二反射区大致位于相同的平面表面；

形成至少三个电极，电性耦合至该干涉区，藉由改变该三个电极之间的相对电场，可控制在该干涉区内的载子量；其中由载子结合产生的光线在该干涉区内沿着一第一方向共振，且由一第二方向出射，其中该第二方向不同于该第一方向。