[发明专利]光发射器

权利要求书

1.一种光发射器，其特征在于，包含：

一干涉区，形成于一第一反射区及一第二反射区之间且沿着一第一方向延伸；

一第一电极及一第二电极电性耦合至该干涉区且在施加电场之后将载子注入干涉区，以使干涉区产生光线；

一第三电极电性耦合至该干涉区，经由在该第一及第三电极间、或在第二及第三电极间、或上述组合施加电场，即能够调变在干涉区结合的载子量；及

一光栅区耦合至该干涉区；

其中该光栅区在第一表面形成、该第一反射区在第二表面形成、该第二反射区在第三表面形成，该第一表面的法线与该第二表面的法线彼此垂直、该第一表面的法线与该第三表面的法线彼此垂直；

其中在该干涉区产生的光线沿着该第一方向共振且由一第二方向射出该干涉区，该第二方向不同于该第一方向，且可藉由调整该光栅区的光栅高度、工作周期、光栅周期、光栅形状、覆盖光栅的包层或上述参数组合控制该第二方向。

2.根据权利要求1的光发射器，其特征在于，该第二方向垂直该第一方向。

3.根据权利要求1的光发射器，其特征在于，该干涉区包含至少两种不同三五族半导体材料，且该第一电极与该第三电极实体接触该干涉区的不同材料。

4.根据权利要求1的光发射器，其特征在于，更包含一介电层形成于该第三电极及该干涉区之间，该第三电极经由一电容效应以调变在该干涉区结合的载子量。

5.根据权利要求1的光发射器，其特征在于，该第一反射区或该第二反射区包含一全反射角镜面，一分布式布拉格反射镜，一色散镜面，一波导回圈反射镜，或一金属镜面。

6.根据权利要求1的光发射器，其特征在于，该第一电极、该第二电极或该第三电极包含一导电层及一半导体掺杂区。

7.根据权利要求1的光发射器，其特征在于，该第三电极依序施加至少两种不同电压位准。

8.根据权利要求1的光发射器，其特征在于，该光栅区的光栅周期匹配该干涉区内光线的一干涉周期。

9.根据权利要求1的光发射器，其特征在于，该光栅具有光栅谷或是光栅峰，且该光栅的晶格向量使该干涉区的同相位反节点的位置和光栅谷及/或光栅峰的位置相匹配。

10.根据权利要求1的光发射器，其特征在于，该干涉区的等效折射率低于该光栅区的等效折射率。

11.根据权利要求1的光发射器，其特征在于，该第三电极与该干涉区的一部分接触，且该接触部分不与光栅区重叠。

12.根据权利要求1的光发射器，其特征在于，由该光栅区所发射的光至少穿透过部分的第三电极。

13.一种形成光发射器的方法，其特征在于，包含：

形成一干涉区及一光源区，其中该光源区至少一部分崁入该干涉区；

在该干涉区的两相对端形成一第一反射区及一第二反射区，其中该第一反射区及一第二反射区位于相同的平面表面；

形成至少三个电极，电性耦合至该干涉区，藉由改变该三个电极之间的相对电场，控制在该干涉区内的载子量；

在该干涉区形成一光栅区﹐其中该光栅区在第一表面形成、该第一反射区在第二表面形成、该第二反射区在第三表面形成，该第一表面之法线与该第二表面之法线彼此垂直、该第一表面之法线与该第三表面之法线彼此垂直；

其中由载子结合产生的光线在该干涉区内沿着一第一方向共振，且由一第二方向出射，其中该第二方向不同于该第一方向，且可藉由调整该光栅区的光栅高度、工作周期、光栅周期、光栅形状、覆盖光栅的包层或上述参数组合控制该第二方向。

14.根据权利要求13的形成光发射器的方法，其特征在于，该光栅区的光栅周期匹配该干涉区内光线的一干涉周期。