[发明专利]多模式可配置发射器电路有效
| 申请号: | 201510088157.9 | 申请日: | 2009-08-03 |
| 公开(公告)号: | CN104660276B | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
| 发明(设计)人: | 秋参·纳拉通;桑卡兰·阿尼鲁丹 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
| 主分类号: | H04B1/04 | 分类号: | H04B1/04;H03F1/02;H03F3/195;H03F3/21;H03F3/24;H03F3/68;H03F3/72 |
| 代理公司: | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 宋献涛<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发射器电路 输出耦合 芯片 前置驱动放大器 可控制开关 驱动放大器 操作模式 信号路径 多模式 可配置 外连接 外组件 旁路 发射 配置 申请 | ||
1.一种用于配置用于通信装置的发射器的方法,所述方法包含:
如果前置驱动放大器pDA是接通的,则将发射TX信号提供到所述pDA的输入以生成pDA输出信号并进一步将所述pDA输出信号提供至驱动放大器DA的输入,或者如果所述pDA是断开的,则将所述TX信号提供至所述DA的所述输入,其中所述pDA基于不同的通信标准而选择性地接通或者断开,所述DA具有DA输出;
将所述DA输出耦合到多个可选择芯片外连接,所述多个可选择芯片外连接的每一者将所述DA输出耦合到多组芯片外组件的每一组,每一芯片外连接包含将所述DA输出耦合到对应芯片外连接的对应芯片外连接开关,所述多个可选择芯片外连接的每一者对应于所述不同的通信标准中的相应一者;及
基于芯片外连接控制信号而启用所述多个可选择芯片外连接中的至少一者以由对应组的芯片外组件执行与所启用的芯片外连接对应的通信标准。
2.根据权利要求1所述的方法,其中将所述DA输出耦合到所述多个可选择芯片外连接包含:
将所述DA输出耦合到多个厚氧化物PMOS装置的漏极,每一PMOS装置的源极耦合到所述多个可选择芯片外连接中的对应一者;
其中启用所述多个可选择芯片外连接中的至少一者包含:
将低电压电平提供到对应于所述经启用的可选择芯片外连接的所述PMOS装置的栅极;及
将高电压电平提供到对应于未经启用的所述可选择芯片外连接的所述PMOS装置的栅极。
3.根据权利要求2所述的方法,其中将所述DA输出耦合到所述多个可选择芯片外连接进一步包含:
将所述多个可选择芯片外连接中的每一者耦合到对应NMOS装置的漏极,每一NMOS装置的源极耦合到接地电压;
其中启用所述多个可选择芯片外连接中的所述至少一者包含:
将低电压电平提供到对应于所述经启用的可选择芯片外连接的所述NMOS装置的栅极;及
将高电压电平提供到对应于未经启用的所述可选择芯片外连接的所述NMOS装置的栅极。
4.根据权利要求1所述的方法,其中将所述DA输出耦合到所述多个可选择芯片外连接包含:
经由对应AC耦合电容器将所述DA输出耦合到多个厚氧化物NMOS装置的漏极,每一NMOS装置的源极耦合到所述多个可选择芯片外连接中的对应一者;
其中启用所述多个可选择芯片外连接中的至少一者包含:
将高电压电平提供到对应于所述经启用的可选择芯片外连接的所述NMOS装置的栅极;及
将低电压电平提供到对应于未经启用的所述可选择芯片外连接的所述NMOS装置的栅极。
5.一种用于通信装置的发射器设备,所述设备包含:
前置驱动放大器pDA,其具有pDA输入和pDA输出,所述pDA基于不同的通信标准而选择性地接通及断开;
驱动放大器DA,其具有DA输入和DA输出,其中所述DA输入耦合至所述pDA输出,
其中如果所述pDA是接通的,则将发射TX信号提供到所述pDA输入以生成pDA输出信号并进一步将所述pDA输出信号提供至所述DA输入,或者如果所述pDA是断开的,则将所述TX信号提供至所述DA输入;及
多个可选择芯片外连接,所述多个可选择芯片外连接的每一者将所述DA输出耦合到多组芯片外组件的每一组,每一芯片外连接包含将所述DA输出耦合到对应芯片外连接的对应芯片外连接开关,其中所述多个可选择芯片外连接的每一者对应于所述不同的通信标准中的相应一者,且其中所述多个可选择芯片外连接中的至少一者经配置以基于芯片外连接控制信号而被接通以由对应组的芯片外组件执行与所接通的芯片外连接对应的通信标准。
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