[发明专利]提高隧道结薄膜磁电阻效应的制备方法在审
| 申请号： | 201510074834.1 | 申请日： | 2015-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN104659202A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 周俊;倪经;陈彦;黄豹;邹延珂;郭韦;曹照亮 | 申请（专利权）人： | 西南应用磁学研究所 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人： | 胡吉科 |
| 地址： | 621000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 隧道 薄膜 磁电 效应 制备 方法 | ||
1.一种提高隧道结薄膜磁电阻效应的制备方法，其特征在于:包括如下步骤：(a)在基底上依次沉积底电极层、反铁磁层、钉扎铁磁层、隧穿层、自由铁磁层；(b)对制备的底电极层、反铁磁层、钉扎铁磁层、隧穿层、自由铁磁层进行退火工艺处理；(c) 退火工艺处理完毕沉积顶电极层。
2.根据权利要求1所述的提高隧道结薄膜磁电阻效应的制备方法，其特征在于：所述的底电极层、反铁磁层、钉扎铁磁层、隧穿层、自由铁磁层、顶电极层利用溅射法沉积。
3.根据权利要求1所述的提高隧道结薄膜磁电阻效应的制备方法，其特征在于：退火工艺加热温度在280~330℃，并缓慢冷却所制备的薄膜，并且退火工艺过程中将5000Oe~6000Oe磁场施加到所制备的薄膜。
4.根据权利要求1所述的提高隧道结薄膜磁电阻效应的制备方法，其特征在于: 所述的底电极层为双层结构，双层结构为Ta/Cu。
5.根据权利要求1所述的提高隧道结薄膜磁电阻效应的制备方法，其特征在于：所述的反铁磁层为FeMn或IrMn或PtMn中的一种。
6.根据权利要求1所述的提高隧道结薄膜磁电阻效应的制备方法，其特征在于：所述的钉扎铁磁层为为三层结构，三层结构为CoFe/Ru/CoFeB。
7.根据权利要求1所述的提高隧道结薄膜磁电阻效应的制备方法，其特征在于：所述的隧穿层包括但不限于MgO或AlO。
8.根据权利要求1所述的提高隧道结薄膜磁电阻效应的制备方法，其特征在于：所述的自由铁磁层CoFeB。
9.根据权利要求1所述的提高隧道结薄膜磁电阻效应的制备方法，其特征在于：所述的顶电极层为三层结构，三层结构为Ru/Ta/Cu。
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