[发明专利]一种充分利用存储器冗余单元的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种充分利用存储器冗余单元的方法，属于数据通信技术领域。

背景技术

存储器设计领域，目前其容量已经达到了T(=2¹⁰G)级别，国际上最先进的尺寸在二十纳米左右。随着存储器容量的不断扩大，工艺尺寸的不断缩小，在存储器生产过程中难免引入各种各样的缺陷，导致存储器的某些单元无法正确使用。

针对该问题，目前常用的解决办法是，在存储器的行末尾或列末尾额外增加一部分存储单元作为备用。若某些行或列中出现了有缺陷的存储单元，则使用备用单元来替换；若某行或某列或所有存储单元都完好无缺，则与该行或该列对应的备用单元闲置无用，是一种浪费。

发明内容

本发明为了克服以上技术的不足，提供了一种充分利用存储器冗余单元的方法，在冗余单元内存储有检验码，利用该校验码可以校验存储单元内数据的完整性和正确性。

本发明克服其技术问题所采用的技术方案是：

一种充分利用存储器冗余单元的方法，所述存储器包括存储单元和冗余单元，冗余单元包括行冗余单元和列冗余单元，所述冗余单元内存储有校验码。

所述列冗余单元和行冗余单元可分别校验数据。

（一）列冗余单元可以作为本行校验码

校验时，一次性读出本行所有存储单元的数据和列冗余单元进行校验和纠错；当有存储单元的数据发生变化时，重新计算新的校验码，计算校验码的方法包括：

（1）若校验码计算方法包含非线性运算，则需要读出本行所有未发生变化的数据与发生改变的数据，重新计算校验码；

（2）若校验码计算方法为线性运算，则只需根据发生变化位置其修改前数据、修改后数据和校验码，重新计算校验码。

（二）行冗余单元可以作为整体存储单元或部分存储单元的校验码

校验时，一次性读出整体存储单元和相应的行冗余单元或部分存储单元和相应的行冗余单元进行校验和纠错；当有存储单元的数据发生变化时，重新计算新的校验码，计算校验码的方法包括：

（1）若校验码计算方法包含非线性运算，则需要读出所有未发生变化的数据与发生改变的数据，重新计算校验码；

（2）若校验码计算方法为线性运算，则只需根据发生变化位置其修改前数据、修改后数据和校验码，重新计算校验码。

根据本发明优选的，所述计算校验码的方法包括奇偶校验、CRC校验或ECC校验。

根据本发明优选的，所述存储器为EEPROM，即带电可擦写可编程只读存储器。

本发明的有益效果是：

1、本发明在存储器的存储单元没有损坏的前提下，将备用的冗余单元内存储上校验码，利用校验码来校验数据的正确性和完整性，并进行纠错，达到充分利用冗余单元的目的，提高了冗余单元的使用率。

2、由于一行数据的擦写可以通过一次擦写完成，而跨行数据的擦写则必须逐行擦写，当列冗余单元作为本行检验码时，若本行数据发生改变，校验码的改变可以与数据的改变在一次行擦写中完成，从而可以有效提高校验和纠错的速度。

3、由于行冗余单元通常位于译码地址的两端，冗余单元具有单独的译码地址，所以当行冗余单元作为整体存储单元或部分存储单元的校验码时，可以有效降低译码电路的复杂度。

附图说明

图1为实施例1中存储器的存储单元和冗余单元的示意图。

图2为实施例2中存储器的存储单元和冗余单元的示意图。

具体实施方式   

一种充分利用存储器冗余单元的方法，所述存储器包括存储单元和设置于每一行和每一列末尾的冗余单元，冗余单元包括行冗余单元和列冗余单元，所述冗余单元内存储有校验码。

所述列冗余单元和行冗余单元可分别校验数据。

（一）列冗余单元可以作为本行校验码

校验时，一次性读出本行所有存储单元的数据和列冗余单元进行校验和纠错；当有存储单元的数据发生变化时，重新计算新的校验码，计算校验码的方法包括：

（1）若校验码计算方法包含非线性运算，则需要读出本行所有未发生变化的数据与发生改变的数据，重新计算校验码；

（2）若校验码计算方法为线性运算，则只需根据发生变化位置其修改前数据、修改后数据和校验码，重新计算校验码。

（二）行冗余单元可以作为整体存储单元或部分存储单元的校验码