[发明专利]阵列基板、显示面板及显示装置

说明书

本发明公开了一种阵列基板，包括衬底，所述衬底上设置有多条栅极线和多条数据线，所述栅极线和所述数据线彼此绝缘交叉限定出多个像素单元，所述像素单元包括层叠设置的第一电极和第二电极，所述第二电极具有至少一个支电极，所述第一电极在所述像素单元之间沿所述数据线延伸方向上设置有至少一条第一刻缝。本发明实施例提供的阵列基板、显示面板及显示装置，通过在黑矩阵下方的电极进行镂空去除，使得黑矩阵下方电场强度减弱，从而使液晶转动幅度降低，减小斜视穿透率，能够有效地降低由于显示面板的上下基板对位发生偏差而形成的混色色偏。

技术领域

本发明涉及平板显示技术，特别涉及一种阵列基板，及包括该阵列基板的显示面板，以及包括该显示面板的显示装置。

背景技术

显示面板目前被广泛的应用于手机、掌上电脑(Personal Digital Assistant,PDA)等便携式电子产品中，例如：薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-LiquidCrystal Display,TFT-LCD)、有机发光二级管显示器(Organic Light Emitting Diode,OLED)、低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon,LTPS)显示器以及等离子体显示器(Plasma Display Panel,PDP)等。在市场竞争的推动下，更轻便、显示效果更优越、价格更低的显示装置受到了越来越多的追捧。

在显示装置中，像素电极与公共电极之间能够形成电场，该电场驱动液晶分子转动来进行画面的显示；在显示面板的分辨率相对较低时，像素电极与黑矩阵之间的距离相对较远，则黑矩阵下方的电场强度较弱，液晶分子转动幅度较小，斜视透过率低，不易发生挤压色偏；但是随着高分辨率产品的需求，同时为了保证较高的穿透率，像素电极与黑矩阵之间的距离越来越小，黑矩阵下方的电场强度会变强，从而液晶分子转动幅度增大，会使得斜视透过率高，出现混色色偏的概率增加。现有高分辨率产品中，像素大小越来越小，像素电极与黑矩阵之间的距离越来越小，另外产品尺寸越来越大，厚度越来越薄，均容易因为挤压等外力的作用使得局部对位有偏移，由此发生混色色偏。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种阵列基板，包括衬底，所述衬底上设置有多条栅极线和多条数据线，所述栅极线和所述数据线彼此绝缘交叉限定出多个像素单元，所述像素单元包括层叠设置的第一电极和第二电极，所述第二电极具有至少一个支电极，所述第一电极在所述像素单元之间沿所述数据线延伸方向上设置有至少一条第一刻缝。

本发明实施例还提供一种显示面板，包括相对设置的阵列基板和对向基板，所述阵列基板上设置有多条栅极线和多条数据线，所述栅极线和所述数据线彼此绝缘交叉限定出多个像素单元，所述像素单元包括第一电极和第二电极，所述第二电极具有至少一个支电极，所述第一电极在所述像素单元之间沿所述数据线延伸方向上设置有至少一条第一刻缝；所述对向基板上设置有黑矩阵，所述黑矩阵围绕成的开口区域与所述像素单元一一对应，所述黑矩阵与所述第一刻缝在所述黑矩阵上的垂直投影区域至少部分交叠。

本发明实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括如上所述的显示面板。

本发明实施例提供的阵列基板、显示面板及显示装置，通过在黑矩阵下方的电极进行镂空去除，使得黑矩阵下方电场强度减弱，从而使液晶转动幅度降低，减小斜视穿透率，能够有效地降低由于显示面板的上下基板对位发生偏差而形成的混色色偏。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图；

图2是图1中沿A-A’的剖视图；