[发明专利]表面电荷转移掺杂调控Ti‑O薄膜表面能级能态的方法有效

专利信息
申请号: 201510030104.1 申请日: 2015-01-21
公开(公告)号: CN104562002B 公开(公告)日: 2017-04-05
发明(设计)人: 万国江;赖欣;李苹;郝国明;黄楠 申请(专利权)人: 西南交通大学
主分类号: C23C28/00 分类号: C23C28/00;C23C14/35;C23C22/02
代理公司: 成都博通专利事务所51208 代理人: 陈树明
地址: 610031 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 表面 电荷 转移 掺杂 调控 ti 薄膜 能级 方法
【权利要求书】:

1.一种表面电荷转移掺杂调控Ti-O薄膜表面能级能态的方法,其步骤是:

A、利用非平衡磁控溅射系统在抛光的纯钛表面沉积Ti-O薄膜,得到纯钛表面上沉积有Ti-O薄膜的材料;

B、将A步的材料放入浓度为0.04~0.06mol/L的Na2CO3溶液中浸泡30~60min,取出,70~110℃真空干燥;

C、将100份质量的多巴胺与1份质量的聚合引发剂在无氧环境下溶解于pH=8.0~9.0的三羟甲基氨基甲烷缓冲溶液中,使多巴胺的浓度为0.20~0.26mol/L;

D、将B步得到的材料放入C步的溶液中6~12h,并同时缓慢通入氧气,多巴胺聚合成聚多巴胺并沉积在Ti-O薄膜的表面,取出、晾干,紫外光照30~60min;

E、将D步得到的材料,置于pH=9~12的碱性溶液中24~48h,超声清洗3~4次,即得。

2.根据权利要求1所述的一种表面电荷转移掺杂调控Ti-O薄膜表面能级能态的方法,其特征在于:所述A步中非平衡磁控溅射系统在抛光的纯钛表面沉积Ti-O薄膜的沉积参数为:直流电流2.5~3.0A、沉积时间8~10min、基体偏压-140~-160V、靶基距75~80mm、Ar/O比为60/13~60/15。

3.根据权利要求1所述的一种表面电荷转移掺杂调控Ti-O薄膜表面能级能态的方法,其特征在于:所述C步中的聚合引发剂是(NH4)2S2O8或H2O2

4.根据权利要求1所述的一种表面电荷转移掺杂调控Ti-O薄膜表面能级能态的方法,其特征在于:所述E步中的碱性溶液是NaOH溶液、KOH溶液或Ba(OH)2溶液。

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