[发明专利]一种晶体管控制型电子负载控制电路

权利要求书

1.一种晶体管控制型电子负载控制电路，其特征在于，包括微处理器、DA控制单元、误差运算放大电路、恒流恒压模式转换电路和负载状态控制电路，所述DA控制单元与所述微处理器连接、用于输出电流控制电压，所述误差运算放大电路的输入端与所述DA控制单元连接，所述恒流恒压模式转换电路的一端与所述误差运算放大电路的输出端连接、用于在恒流模式和恒压模式之间进行切换，所述负载状态控制电路的一端与所述恒流恒压模式转换电路的另一端连接、用于对电子负载的开关状态进行控制，所述负载状态控制电路的另一端接地；

所述误差运算放大电路包括电流误差放大电路和电压误差放大电路，所述恒流恒压模式转换电路包括恒流控制单元和恒压控制单元，所述电压误差放大电路的一输入端和所述电流误差放大电路的一输入端均与所述DA控制单元连接，所述恒压控制单元的一端与所述电压误差放大电路的输入端连接，所述恒流控制单元的一端与所述电流误差放大电路的输出端连接，所述恒压控制单元的另一端与所述恒流控制单元的另一端均与所述负载状态控制电路的一端连接；

还包括MOS管、电压采集电路、电流采样放大电路和采样电阻，所述MOS管的栅极与所述负载状态控制电路的一端连接，所述MOS管的漏极与所述电压采集电路的输入端连接，所述MOS管的源极分别与所述电流采样放大电路的输入端和所述采样电阻的一端连接，所述采样电阻的另一端接地，所述电压采集电路的输出端与所述电压误差放大电路的另一输入端连接，所述电流采样放大电路的输出端与所述电流误差放大电路的另一输入端连接。

2.根据权利要求1所述的晶体管控制型电子负载控制电路，其特征在于，所述电流误差放大电路包括电流误差放大器和第一电容，所述恒流控制单元包括第四三极管和第六三极管；所述电流误差放大器的同相输入端与所述DA控制单元连接，所述电流误差放大器的反相输入端分别与所述第一电容的一端和电流采样放大电路连接，所述电流误差放大器的输出端分别与所述第一电容的另一端和所述第六三极管的发射极连接，所述第六三极管的基极与所述第四三极管的集电极连接，所述第六三极管的集电极通过第五电阻与所述MOS管的栅极连接，所述第四三极管的发射极接地，所述第四三极管的基极与所述微处理器连接。

3.根据权利要求2所述的晶体管控制型电子负载控制电路，其特征在于，所述电压误差放大电路包括电压误差放大器、第二电容和第七电阻，所述恒压控制单元包括第三三极管和第五三极管，所述电压误差放大器的同相输入端与所述电压采集电路的输出端连接，所述电压误差放大器的反相输入端分别与所述第二电容的一端和第七电阻的一端连接，所述第七电阻的另一端与所述DA控制单元连接，所述电压误差放大器的输出端分别与所述第二电容的另一端和第五三极管的发射极连接，所述第五三极管的集电极通过所述第五电阻与所述MOS管的栅极连接，所述第五三极管的基极与所述第三三极管的集电极连接，所述第三三极管的发射极与所述负载状态控制电路连接，所述第三三极管的基极与所述微处理器连接。

4.根据权利要求3所述的晶体管控制型电子负载控制电路，其特征在于，所述负载状态控制电路包括第二三极管，所述第二三极管的发射极与所述第三三极管的发射极连接，所述第二三极管的基极与所述微处理器连接，所述第二三极管的集电极与所述MOS管的栅极连接。

5.根据权利要求4所述的晶体管控制型电子负载控制电路，其特征在于，所述电流采样放大电路包括第二电阻、第三电阻、第四电阻、电流放大器和第六电阻，所述电流放大器的同相输入端与所述第二电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端与所述采样电阻的一端连接，所述电流放大器的反相输入端分别与所述第三电阻的一端和第四电阻的一端连接，所述第三电阻的另一端接地，所述电流放大器的输出端分别与所述第四电阻的另一端和所述第六电阻的一端连接，所述第六电阻的另一端与所述电流误差放大器的反相输入端连接。

6.根据权利要求5所述的晶体管控制型电子负载控制电路，其特征在于，所述电压采集电路包括第八电阻、第九电阻、第十电阻和第十一电阻，所述第八电阻的一端与所述MOS管的漏极连接，所述第八电阻的另一端与所述第九电阻的一端连接，所述第九电阻的另一端与所述第十电阻的一端连接，所述第十电阻的另一端分别与所述第十一电阻的一端和电压误差放大器的同相输入端连接，所述第十一电阻的另一端接地。