[发明专利]频率依赖的发光装置有效
| 申请号： | 201480065216.4 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN105794009B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 戴维·卡罗尔;罗伯特·萨默斯;陈永华 | 申请（专利权）人： | 韦克森林大学 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 张英;宫传芝 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 频率 依赖 发光 装置 | ||
1.一种电致发光装置，包括：
第一电极和第二电极；
位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光层；以及
位于所述第一电极和所述发光层之间或所述第二电极和所述发光层之间的电流注入栅极，其中，所述电流注入栅极包括电子结构的半导体层，所述电子结构的半导体层根据施加至所述第一电极和所述第二电极的交流电压频率限制来自所述第一电极或所述第二电极的通过所述半导体层的注入电流。
2.根据权利要求1所述的电致发光装置，其中，所述第一电极、第二电极或两者是辐射透射的。
3.根据权利要求1所述的电致发光装置，其中，所述发光层是包括单态发射极相的有机发光层。
4.根据权利要求3所述的电致发光装置，其中，所述单态发射极相包含一种或多种共轭聚合物或低聚物、小分子或它们的混合物。
5.根据权利要求3所述的电致发光装置，其中，所述有机发光层进一步包括三态发射极相。
6.根据权利要求5所述的电致发光装置，其中，所述三态发射极相包含磷光过渡金属复合物。
7.根据权利要求5所述的电致发光装置，其中，所述三态发射极相分散于所述单态发射极相中。
8.根据权利要求7所述的电致发光装置，其中，所述有机发光层包括用于所述单态发射极相和所述三态发射极相的介电基质。
9.根据权利要求5所述的电致发光装置，其中，所述有机发光层进一步包括纳米颗粒相。
10.根据权利要求9所述的电致发光装置，其中，所述纳米颗粒相是无机纳米颗粒。
11.根据权利要求9所述的电致发光装置，其中，所述纳米颗粒相是碳纳米颗粒。
12.根据权利要求1所述的电致发光装置，其中，所述发光层是无机发光层。
13.根据权利要求12所述的电致发光装置，其中，所述无机发光层由III/V半导体材料形成。
14.根据权利要求1所述的电致发光装置，其中，通过所述栅极的所述半导体层的注入电流随施加的所述交流电压的频率升高而降低。
15.根据权利要求1所述的电致发光装置，其中，所述半导体层是包含分散于共轭聚合物基体中的无机颗粒的复合层。
16.根据权利要求1所述的电致发光装置，其中，所述半导体层由本征半导体形成。
17.根据权利要求16所述的电致发光装置，其中，所述本征半导体是无机半导体。
18.根据权利要求16所述的电致发光装置，其中，所述本征半导体是有机半导体。
19.根据权利要求1所述的电致发光装置，其中，所述半导体层由具有至少2eV的带隙的材料形成。
20.根据权利要求1所述的电致发光装置，进一步包括在所述发光层的第一侧面的电子掺杂剂层和在所述发光层的相对第二侧面的空穴掺杂剂层。
21.根据权利要求1所述的电致发光装置，具有至少100lm W-1的效率。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
