[发明专利]成膜掩膜及其制造方法无效
申请号: | 201480055662.7 | 申请日: | 2014-10-07 |
公开(公告)号: | CN105612271A | 公开(公告)日: | 2016-05-25 |
发明(设计)人: | 工藤修二;斋藤雄二;水村通伸 | 申请(专利权)人: | 株式会社V技术 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;H01L51/50;H05B33/10 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李洋;青炜 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 成膜掩膜 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及用于在基板上经由开口图案成膜并形成薄膜图案的成 膜掩膜,尤其涉及能够抑制因不同种类材料间的线膨胀系数之差而产生 的内部应力,提高薄膜图案的形成位置精度的成膜掩膜及其制造方法。
背景技术
以往的这种成膜掩膜是用于在基板上形成恒定形状的薄膜图案的 掩膜,层叠具有规定的开口图案的树脂制的薄片、形成了贯通孔的金属 板的保持构件而成(例如参照专利文献1、2)。
专利文献1:日本特开2004-190057号公报
专利文献2:日本特开2008-274373号公报
但是,在这样的以往的成膜掩膜中,由于是使外形形状大致相同的 薄片和保持构件紧贴的掩膜,所以紧贴面积较大,在两材料间的线膨胀 系数不匹配时,存在因该差而产生的内部应力导致掩膜变形,开口图案 的位置偏移,不能够位置精准地形成薄膜图案的情况。
另外,若在存在上述内部应力的掩膜的薄片上形成上述多个开口图 案,则上述内部应力局部释放,其结果,开口图案的位置累积偏移。
尤其是在位于形成了多个开口图案的有效区域的外侧的、所谓的余 白部分的保持构件的面积较大时,存在在该部分的薄片产生的内部应力 (收缩应力)较大,比掩膜的中央靠外的开口图案以及贯通孔的位置较 大地偏移的情况。因此,存在不能够位置精准地形成薄膜图案的可能性。
发明内容
因此,本发明应对这样的问题点,目的在于提供一种能够抑制因不 同种类材料间的线膨胀系数之差而产生的内部应力,能够提高薄膜图案 的形成位置精度的成膜掩膜及其制造方法。
为了实现上述目的,基于本发明的成膜掩膜构成为具备掩膜板和磁 性金属构件的金属掩膜,其中,掩膜板具备:树脂制的薄片,其与被成 膜在基板上的薄膜图案对应地形成多个开口图案;以及磁性金属薄膜, 其在上述薄片的一面被设置在形成了上述多个开口图案的有效区域内, 并在其上设置了内含上述多个开口图案中的至少一个开口图案的大小 的贯通孔,磁性金属构件的金属掩膜在上述掩膜板的上述磁性金属薄膜 侧与上述掩膜板分离而独立地被设置,在其上形成了内含上述磁性金属 薄膜的大小的开口部。
另外,基于本发明的成膜掩膜的制造方法是用于在基板上经由多个 开口图案成膜并形成多个薄膜图案的成膜掩膜的制造方法,在该成膜掩 膜的制造方法中进行如下步骤:在树脂制的薄片的一面,与形成上述多 个开口图案的有效区域对应地形成磁性金属薄膜的第一步骤,在磁性金 属薄膜设置了能够内含上述多个开口图案中的至少一个开口图案的大 小的贯通孔;形成在磁性金属构件的金属板形成了内含上述磁性金属薄 膜的大小的开口部的金属掩膜的第二步骤;将上述金属掩膜的周边部固 定至框状的框架的一端面之后,在上述薄片的周边部,将上述一面侧固 定至上述框架的上述一端面的第三步骤;以及向上述薄片的上述有效区 域内照射激光,形成上述多个开口图案来作为掩膜板的第四步骤。
根据本发明,由于在掩膜板的形成多个开口图案的有效区域的外侧 的、所谓的余白部分不存在磁性金属薄膜,所以与以往相比,能够使磁 性金属薄膜与薄片的紧贴面积减小,能够使因两材料间的线膨胀系数之 差而在薄片产生的内部应力减小。由此,即使在对多个开口图案进行了 激光加工的情况下,也能够抑制开口图案的位置偏移,位置精准地形成 开口图案。由此,在磁性金属薄膜的材料选择性地宽度扩展,另外,磁 性金属薄膜为合金的情况下,能够缓和对构成元素的组成分布的要求精 度,能够改善掩膜板的生产率。
附图说明
图1是表示基于本发明的成膜掩膜的实施方式的图,图1的(a) 是俯视图,图1的(b)是图1的(a)的O-O线剖面向视图。
图2是表示基于本发明的成膜掩膜的掩膜板的一构成例的图,图2 的(a)是仰视图,图2的(b)是图2的(a)的局部放大仰视图。
图3是表示上述掩膜板的其他构成例的仰视图。
图4是表示基于本发明的成膜掩膜的金属掩膜的一构成例的图,图 4的(a)是与图2的掩膜板对应的金属掩膜的俯视图,图4的(b)是 与图3的掩膜板对应的金属掩膜的俯视图。
图5是对基于本发明的成膜掩膜的制造方法进行说明的工序图,是 表示向金属框架的金属掩膜接合工序的剖视图。
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