[发明专利]二氮杂二环辛烷衍生物的结晶及其制备方法

权利要求书

1.一种下述式(VII)表示的化合物的制备方法，其特征在于，使下述式(III)表 示的化合物与化合物：R³ONH₂反应，形成下述式(IV)表示的化合物，在氢气氛围下与 钯碳催化剂进行处理，同时或连续地在含水溶剂中在催化剂量的碱存在下通过三氧化硫- 三甲基胺络合物进行硫酸化反应，用硫酸氢四丁基铵处理，形成下述式(VI)表示的化 合物后，在侧链R³ONHC(＝O)-具有保护基时，用酸将该保护基除去，接着，在反应液中 加入不良溶剂，使粗生成物沉淀化，形成下述式(VII-CR)表示的粗化合物后，交替加 入式(VII-CR)表示的粗化合物和冰冷的缓冲液形成pH4-5.5的溶液，根据需要用合成 吸附剂脱盐后浓缩，调温后根据需要进行接种，加入不良溶剂，进行结晶化，形成下述 式(VII)表示的化合物，

上述各式中，OBn表示苄氧基，R¹表示2,5-二氧代吡咯烷-1-基、1,3-二氧代-3a,4,7,7a- 四氢-1H-异吲哚-2(3H)-基、1,3-二氧代六氢-1H-异吲哚-2(3H)-基或3,5-二氧代-4-氮杂三环 [5.2.1.0²_,⁶]癸-8-烯-4-基，R³表示C_1-6烷基或杂环基；R³可被0至5个R⁴修饰，R⁴也可以 连续地取代；在此，R⁴为C_1-6烷基、杂环基、R⁵(R⁶)N-或保护基；此外，R⁵和R⁶各自独 立地表示氢或C_1-6烷基，或一起形成杂环基；进而，R³、R⁵及R⁶可在任意的位置闭环。

2.一种下述式(IV)表示的化合物的制备方法，其特征在于，使下述式(III)表示 的化合物与化合物：R³ONH₂反应，形成下述式(IV)表示的化合物，

上述各式中，R¹、R³及OBn如权利要求1所述。

3.一种下述式(VI)表示的化合物的制备方法，其特征在于，将下述式(IV)表示 的化合物在氢气氛围下与钯碳催化剂进行处理，同时或连续地在含水溶剂中在催化剂量 的碱存在下通过三氧化硫-三甲基胺络合物进行硫酸化反应，用硫酸氢四丁基铵处理，形 成下述式(VI)表示的化合物，

上述各式中，R³和OBn如权利要求1所述。

4.一种下述式(VII-CR)表示的粗化合物的制备方法，其特征在于，下述式(VI) 表示的化合物在侧链R³ONHC(＝O)-具有保护基时，用酸将该保护基除去，接着，在反应 液中加入酯系不良溶剂，使粗生成物沉淀化，形成下述式(VII-CR)表示的粗化合物，

上述各式中，R³如权利要求1所述。

5.一种下述式(VII)表示的化合物的制备方法，其特征在于，交替加入下述式 (VII-CR)表示的粗化合物和冰冷的缓冲液形成pH4-5.5的溶液，根据需要用合成吸附 剂脱盐后浓缩，调温后根据需要进行接种，加入醇系不良溶剂，进行结晶化，形成下述 式(VII)表示的化合物，

上述各式中，R³如权利要求1所述。