[发明专利]电压-光转换装置有效
申请号: | 201480054851.2 | 申请日: | 2014-09-25 |
公开(公告)号: | CN105874627B | 公开(公告)日: | 2018-04-24 |
发明(设计)人: | S·哈特曼;M·雷基特克;P·G·M·克吕特 | 申请(专利权)人: | OLED工厂有限责任公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L51/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 申屠伟进,刘春元 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 转换 装置 | ||
1.一种电压-光转换装置,包括:
- 第一电极(3),
- 第二电极(5),
- 电压-光转换材料(4),适于执行电压-光转换并被布置在第一电极(3)和第二电极(5)之间,和
- 用于至少封装电压-光转换材料(4)的薄膜封装(6,60,61),薄膜封装(6,60,61)由第一阻挡层(6)、中间层(60)和第二阻挡层(7)形成,其中具有层边缘(63)的中间层(60)由在用于制造电压-光转换装置的工艺期间为液体的材料制成,
其中该电压-光转换装置进一步包括在衬底(2)上的结构化导电层(3),第一和第二电极(3,5)的至少一个由结构化导电层(3)形成或电连接到结构化导电层(3),
其中结构化导电层(3)包括在边缘区域(70)中的结构边缘(10),边缘区域(70)也包括中间层(60)的层边缘(63),和
其中在边缘区域(70)中,结构化导电层(3)的结构边缘(10)的至少一部分不垂直于中间层(60)的层边缘(63);
其中该结构化导电层(3)通过包括结构边缘(10)的槽(9)来进行结构化,并且其中第一阻挡层(6)遵循该槽(9)的轮廓。
2.如权利要求1所限定的电压-光转换装置,其中结构边缘(10)是曲折型边缘,使得结构边缘(10)的至少一部分不垂直于层边缘(63)。
3.如权利要求1所限定的电压-光转换装置,其中在边缘区域(70)中,结构边缘(10)包括不垂直于层边缘(63)的第一部分和与第一部分围住在45至135度的范围内的角度的邻近的第二部分。
4.如权利要求1所限定的电压-光转换装置,其中该电压-光转换材料(4)包括有机电压-光转换材料(4)。
5.如权利要求1所限定的电压-光转换装置,其中该层边缘(63)是聚合物层(60)的边缘。
6.如权利要求1所限定的电压-光转换装置,其中槽(9)的宽度沿着槽(9)的走向变化。
7.如权利要求6所限定的电压-光转换装置,其中槽(9)包括具有较大宽度的较宽部分和具有较小宽度的较窄部分,其中较窄部分的序列布置在两个较宽部分之间,且其中结构边缘是由较窄部分形成的曲折型边缘。
8.如权利要求1所限定的电压-光转换装置,其中该导电层(3)是ITO层。
9.一种用于制造如权利要求1所限定的电压-光转换装置的衬底,其中衬底(2)包括结构化导电层(3),且其中结构边缘(10)是曲折型边缘(10)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择