[发明专利]太阳能电池用密封膜及使用其的太阳能电池在审
申请号: | 201480053334.3 | 申请日: | 2014-09-26 |
公开(公告)号: | CN105580143A | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
发明(设计)人: | 片冈央尚 | 申请(专利权)人: | 株式会社普利司通 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/055;C09K11/06 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 密封 使用 | ||
技术领域
本发明涉及在太阳能电池中对太阳能电池元件进行密封的太阳能电池用密封膜, 特别是涉及通过含有波长转换材料而增加有助于太阳能电池发电的光线、能够提高发电效 率的太阳能电池用密封膜。
背景技术
近年来,从资源的有效利用、环境污染的防止等方面出发,广泛使用将太阳光直接 转换成电能的太阳能电池,并进一步从发电效率、耐候性等方面推进开发。
太阳能电池如图2所示,一般如下制造:将由玻璃基板等构成的表面侧透明保护构 件21、表面侧密封膜23A、硅晶体类发电元件等太阳能电池单元24、背面侧密封膜23B以及背 面侧保护构件(backcover,背板)22依次层叠,在减压下脱气后,加热加压使表面侧密封膜 23A和背面侧密封膜23B交联固化而粘接一体化。
另一方面,一般硅晶体类发电元件等任一类型的太阳能电池元件均已知有对紫外 区域的光线的光谱灵敏度低、无法有效活用太阳光的能量的问题。为了解决该问题,提出了 通过使用将紫外区域的光线转换成可见区域或近红外区域的波长的光线的材料(波长转换 材料)来提高太阳能电池单元的发电效率的技术。具体而言,提出了使太阳能电池模块的密 封材料(密封膜)含有荧光物质(例如发出500~1000nm的荧光的稀土类络合物)的方法(例 如专利文献1、2)等。
此外,有时为了提高太阳能电池用密封膜的耐候性会在太阳能电池用密封膜中添 加紫外线吸收剂,已知紫外线吸收剂存在时会阻碍由上述这种荧光物质带来的发电效率的 提高效果。在专利文献3中,为了同时实现发电效率的提高和耐候性,提出了一种密封片,其 含有分散树脂和在300nm以上且450nm以下具有吸收波长峰的荧光物质,前述荧光物质以外 的紫外线吸收剂的含有率相对于分散树脂100质量份为0.15质量份以下(优选实质上不 含)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2006-303033号公报
专利文献2:日本特开2011-77088号公报
专利文献3:日本特开2011-210891号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而,根据本发明人等的研究发现,太阳能电池用密封膜实质上不含紫外线吸收 剂时,即使含有荧光物质,太阳能电池的耐候性也称不上充分,特别是容易发生由太阳能电 池的背板的黄变导致的外观不良等。另外发现,使表面侧密封膜含有荧光物质,并且为了防 止背板的黄变而仅使背面侧密封膜含有紫外线吸收剂时,尽管表面侧密封膜不含紫外线吸 收剂,但是还是会有在太阳能电池的保管或使用中由荧光物质带来的发电效率的提高效果 降低的情况。
因此,本发明的目的在于提供一种太阳能电池用密封膜,该太阳能电池用密封膜 通过含有波长转换材料能够提高太阳能电池元件的发电效率,进而会提高太阳能电池的耐 候性,并且在太阳能电池的保管或使用中能够维持其发电效率的提高效果。
此外,本发明的目的在于提供使用该太阳能电池用密封膜的、发电效率高、耐候性 优异的太阳能电池。
用于解决问题的方案
本发明人等对尽管仅使背面侧密封膜含有紫外线吸收剂、不使表面侧密封膜含有 紫外线吸收剂,但在太阳能电池的保管或使用中由表面侧密封膜中含有的荧光物质(波长 转换材料)带来的发电效率的提高效果依然会降低的原因进行了深入研究,结果发现,添加 在背面侧密封膜中的有机类紫外线吸收剂在太阳能电池的保管或使用中移动至表面侧密 封膜,阻碍了荧光物质的提高发电效率的效果。本发明人等基于这些认识进一步进行了研 究,从而完成了本发明。
即,上述目的通过如下的一对的太阳能电池用密封膜来实现,其特征在于,其为用 于将太阳能电池元件密封在表面侧透明保护构件与背面侧保护构件之间来构成太阳能电 池的两片一对的太阳能电池用密封膜,位于前述太阳能电池元件与前述表面侧保护构件之 间的表面侧密封膜含有树脂材料和将紫外区域的光线转换成可见区域或近红外区域的波 长的光线的波长转换物质,位于前述太阳能电池元件与前述背面侧保护构件之间的背面侧 密封膜含有树脂材料和无机类紫外线屏蔽剂,并且前述表面侧密封膜和前述背面侧密封膜 实质上不含有机类紫外线吸收剂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的