[发明专利]红外线放射装置及其制造方法

权利要求书

1.一种红外线放射装置，包括：

形成有腔室的基板；

电绝缘并且设置在所述基板的表面上的绝缘层，所述绝缘层的在所述绝缘层的表面的 相反侧上的背面的一部分由所述腔室暴露；

设置在所述绝缘层的表面一侧上的发热层；

电极；

存在于所述腔室的在所述基板的所述表面上的开口边缘的垂直投影区域的内侧和外 侧两者上的基底部，所述垂直投影区域的投影方向沿着所述绝缘层的厚度方向；和

设置在所述基底部的表面上的电导体，其中，

所述发热层的端部设置成覆盖所述电导体的覆盖部，

所述电极接触所述覆盖部的在所述垂直投影区域的外侧的表面，以及

所述电导体由熔点比所述电极高的导电材料形成并且具有的电阻比所述基底部和所 述发热层的电阻小。

2.根据权利要求1所述的红外线放射装置，其特征在于：所述发热层由与所述基底部的 材料相同的材料形成。

3.根据权利要求2所述的红外线放射装置，其特征在于：

所述发热层由氮化钽制成，

所述基底部由氮化钽制成，

所述电导体由钽制成，以及

所述电极由铝制成。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的红外线放射装置，其特征在于，进一步包括：位于 所述绝缘层和所述发热层之间并且稳定所述发热层的形状的形状稳定层。

5.根据权利要求4所述的红外线放射装置，其特征在于：

所述绝缘层的热膨胀系数小于所述基板的热膨胀系数，以及

所述形状稳定层的热膨胀系数大于所述基板的热膨胀系数。

6.根据权利要求5所述的红外线放射装置，其特征在于：

所述形状稳定层由氮化硅制成，以及

所述绝缘层由氧化硅制成。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的红外线放射装置，其特征在于：所述发热层的厚 度小于所述形状稳定层的厚度。

8.根据权利要求4至7中任一项所述的红外线放射装置，其特征在于，进一步包括：覆盖 所述发热层和所述形状稳定层的保护层，其中

所述基板由导热性比所述绝缘层高的材料形成，

所述电极包括在所述发热层的外侧且远离所述发热层的支撑部、和将所述支撑部和所 述覆盖部连接在一起的连接部，以及

所述电极配置成使得所述连接部通过所述保护层中形成的第一孔与所述覆盖部电连 接，并且使得通过所述保护层中形成的第二孔在所述形状稳定层的表面上形成所述支撑 部。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的红外线放射装置，其特征在于：所述腔室为通孔， 所述通孔在所述基板的厚度方向上在所述基板中贯穿。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的红外线放射装置，其特征在于：所述腔室为形成 在所述基板的所述表面一侧中的孔。

11.一种根据权利要求4所述的红外线放射装置的制造方法，包括：

在所述基板的所述表面侧上形成所述绝缘层；

在所述绝缘层的所述表面上形成所述形状稳定层；

在所述形状稳定层的表面上形成将成形为所述基底部的第一氮化钽层；

在所述第一氮化钽层上形成将成形为所述电导体的钽层；

通过将所述第一氮化钽层和所述钽层的叠层膜图案化形成所述基底部和所述电导体；

在所述形状稳定层的所述表面一侧上形成将成形为所述发热层的第二氮化钽层；

通过将所述第二氮化钽层图案化形成所述发热层；

形成所述电极；和

形成所述腔室。