[发明专利]聚合物膜的化学机械平坦化

权利要求书

1.化学机械抛光组合物，包含：

(a)研磨剂颗粒，其包含氧化铈，

(b)金属离子，其为路易斯酸，

(c)配体，其为芳族羧酸、芳族磺酸、芳族酸酰胺、氨基酸、或经羟基取代的N-杂环，以及

(d)水性载体，

其中该化学机械抛光组合物的pH在2至3.5的范围内，金属离子与配体的摩尔浓度比在1:2与1:0.5之间。

2.权利要求1的化学机械抛光组合物，其中该研磨剂颗粒由氧化铈组成，且该化学机械抛光组合物不包含其它研磨剂颗粒。

3.权利要求1的化学机械抛光组合物，其中该金属离子为Fe³⁺、Al³⁺、Cu²⁺、Zn²⁺、或其组合。

4.权利要求3的化学机械抛光组合物，其中该金属离子为Fe³⁺。

5.权利要求3的化学机械抛光组合物，其中该金属离子为Al³⁺。

6.权利要求1的化学机械抛光组合物，其中该配体为吡啶羧酸、异烟酸、烟酸、吡啶二羧酸、吡啶磺酸、对-甲苯磺酸、水杨酰胺、氨基苯磺酸、甲基甘氨酸、苯基甘氨酸、二甲基甘氨酸、氨基苯甲酸、2-哌啶酸、脯氨酸、2-羟基吡啶、8-羟基喹啉、2-羟基喹啉、或其组合。

7.权利要求6的化学机械抛光组合物，其中该配体为吡啶羧酸。

8.权利要求1的化学机械抛光组合物，其中该化学机械抛光组合物不含过氧型氧化剂。

9.权利要求1的化学机械抛光组合物，其中该化学机械抛光组合物包含总浓度为0.01重量％至1重量％的研磨剂颗粒。

10.权利要求9的化学机械抛光组合物，其中该化学机械抛光组合物包含总浓度为0.01重量％至0.05重量％的研磨剂颗粒。

11.权利要求1的化学机械抛光组合物，其中该化学机械抛光组合物包含总浓度为0.05mM至50mM的一种或多种金属离子。

12.权利要求1的化学机械抛光组合物，其中该化学机械抛光组合物包含总浓度为0.1mM至100mM的一种或多种配体。

13.权利要求1的化学机械抛光组合物，其中该配体为芳族羧酸、芳族磺酸、芳族酸酰胺、或经羟基取代的N-杂环，且其中该化学机械抛光组合物的pH在2至3的范围内。

14.权利要求1的化学机械抛光组合物，其中该配体为氨基酸，且其中该化学机械抛光组合物的pH在3至3.5的范围内。

15.抛光基材的方法，包括：

(i)提供基材；

(ii)提供抛光垫；

(iii)提供权利要求1的化学机械抛光组合物；

(iv)使该基材与该抛光垫及该化学机械抛光组合物接触；以及

(v)相对于该基材，移动该抛光垫和该化学机械抛光组合物，从而磨除该基材的至少一部分以抛光该基材。

16.抛光基材的方法，包括：

(i)提供基材，其中该基材包含聚合物膜；

(ii)提供抛光垫；

(iii)提供化学机械抛光组合物，包含：

(a)研磨剂颗粒，其包含氧化铈，

(b)金属离子，其为路易斯酸，

(c)配体，其为芳族羧酸、芳族磺酸、芳族酸酰胺、氨基酸、或经羟基取代的N-杂环，以及

(d)水性载体，

其中该化学机械抛光组合物的pH在1至4的范围内，金属离子与配体的摩尔浓度比在1:2与1:0.5之间；

(iv)使该基材与该抛光垫及该化学机械抛光组合物接触；以及

(v)相对于该基材，移动该抛光垫和该化学机械抛光组合物，从而磨除该基材的表面上的该聚合物膜的至少一部分以抛光该基材。

17.权利要求16的方法，其中该研磨剂颗粒由氧化铈组成，且该化学机械抛光组合物不包含其它研磨剂颗粒。

18.权利要求16的方法，其中该金属离子为Fe³⁺、Al³⁺、Cu²⁺、Zn²⁺、或其组合。