[发明专利]硫化物固体电解质材料、电池和硫化物固体电解质材料的制造方法有效
申请号: | 201480051454.X | 申请日: | 2014-09-10 |
公开(公告)号: | CN105556616B | 公开(公告)日: | 2017-10-03 |
发明(设计)人: | 加藤祐树 | 申请(专利权)人: | 丰田自动车株式会社 |
主分类号: | H01B1/06 | 分类号: | H01B1/06;H01B1/08;H01B13/00;H01M4/62;H01M10/0562 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 李英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硫化物 固体 电解质 材料 电池 制造 方法 | ||
1.硫化物固体电解质材料,其含有Li元素、Me元素、P元素和S元素,其中Me是选自Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nb中的至少一种,其特征在于,具有:
第一结构部,其由含有所述Li元素、所述Me元素、所述P元素和所述S元素的第一离子传导体构成,和
第二结构部,其由含有所述Li元素、所述Me元素、所述P元素和所述S元素的第二离子传导体构成,
第一离子传导体的构成元素与第二离子传导体的构成元素相同,
以覆盖多个所述第一结构部的方式形成所述第二结构部,
所述第一离子传导体在使用了CuKα射线的X射线衍射测定中的2θ=29.58°±0.50°的位置具有峰,进一步在使用了CuKα射线的X射线衍射测定中的2θ=27.33°±0.50°的位置不具有峰,或者在所述2θ=27.33°±0.50°的位置具有峰的情况下,在将所述2θ=29.58°±0.50°的峰的衍射强度设为IA、将所述2θ=27.33°±0.50°的峰的衍射强度设为IB时,IB/IA的值小于0.50,
在所述第二结构部中,所述Me元素相对于所述P元素的重量比γ小于0.72。
2.硫化物固体电解质材料,其含有Li元素、Me元素、P元素和S元素,其中Me是选自Sb、Si、Ge、Sn、B、Al、Ga、In、Ti、Zr、V、Nb中的至少一种,其特征在于,具有:
第一结构部,其由含有所述Li元素、所述Me元素、所述P元素和所述S元素的第一离子传导体构成,和
第二结构部,其由含有所述Li元素、所述Me元素、所述P元素和所述S元素的第二离子传导体构成,
以覆盖多个所述第一结构部的方式形成所述第二结构部,
所述第一离子传导体在使用了CuKα射线的X射线衍射测定中的2θ=29.58°±0.50°的位置具有峰,进一步在使用了CuKα射线的X射线衍射测定中的2θ=27.33°±0.50°的位置不具有峰,或者在所述2θ=27.33°±0.50°的位置具有峰的情况下,在将所述2θ=29.58°±0.50°的峰的衍射强度设为IA、将所述2θ=27.33°±0.50°的峰的衍射强度设为IB时,IB/IA的值小于0.50,
所述第二结构部中的所述Me元素的含量小于所述第一结构部中的所述Me元素的含量。
3.电池,其具备含有正极活性物质的正极活性物质层、含有负极活性物质的负极活性物质层、以及形成于所述正极活性物质层和所述负极活性物质层之间的电解质层,其特征在于,
所述正极活性物质层、所述负极活性物质层和所述电解质层中的至少一者含有权利要求1或2所述的硫化物固体电解质材料。
4.硫化物固体电解质材料的制造方法,其为权利要求1或2所述的硫化物固体电解质材料的制造方法,其特征在于,具有:
离子传导性材料合成工序,其使用含有所述硫化物固体电解质材料的构成成分的原料组合物,通过机械研磨,合成非晶化的离子传导性材料;和
加热急冷工序,其对所述非晶化的离子传导性材料进行加热和急冷,
其中所述加热急冷工序中的加热温度在650℃~800℃的范围内。
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