[发明专利]阳离子神经毒素有效
申请号: | 201480043806.7 | 申请日: | 2014-07-09 |
公开(公告)号: | CN105492020B | 公开(公告)日: | 2021-03-12 |
发明(设计)人: | D·B·安德森;G·S·哈克特;S·M·刘 | 申请(专利权)人: | 益普生生物创新有限公司 |
主分类号: | A61K39/08 | 分类号: | A61K39/08;C07K14/33 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 柴云峰;黄革生 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阳离子 神经 毒素 | ||
1.包含至少一个氨基酸修饰的工程化的梭菌毒素,其中所述的至少一个氨基酸修饰把 所述工程化的梭菌毒素的等电点(pI)增大到一个值,该值比缺乏所述的至少一个氨基酸修 饰、其它方面相同的梭菌毒素的pI高至少0.2个pI单位。
2.权利要求1所述的工程化的梭菌毒素,其中所述的至少一个氨基酸修饰把所述工程 化的梭菌毒素的等电点(pI)增大到一个值,该值比缺乏所述的至少一个氨基酸修饰、其它 方面相同的梭菌毒素的pI高至少0.5个pI单位。
3.权利要求1所述的工程化的梭菌毒素,其中所述的至少一个氨基酸修饰把所述工程 化的梭菌毒素的等电点(pI)增大到一个值,该值比缺乏所述的至少一个氨基酸修饰、其它 方面相同的梭菌毒素的pI高至少1个pI单位。
4.权利要求1所述的工程化的梭菌毒素,其中所述的至少一个氨基酸修饰把所述工程 化的梭菌毒素的等电点(pI)增大到一个值,该值比缺乏所述的至少一个氨基酸修饰、其它 方面相同的梭菌毒素的pI高至少2个pI单位。
5.权利要求1所述的工程化的梭菌毒素,其中所述的至少一个氨基酸修饰把所述工程 化的梭菌毒素的等电点(pI)增大到一个值,该值比缺乏所述的至少一个氨基酸修饰、其它 方面相同的梭菌毒素的pI高2至5个pI单位。
6.前面权利要求任意一项所述的工程化的梭菌毒素,其中所述工程化的梭菌毒素具有 至少为6的pI。
7.前面权利要求任意一项所述的工程化的梭菌毒素,其中所述工程化的梭菌毒素具有 6至10的pI。
8.权利要求7所述的工程化的梭菌毒素,其中所述工程化的梭菌毒素具有7至9,优选8 至9的pI。
9.前面权利要求任意一项所述的工程化的梭菌毒素,其中所述的至少一个氨基酸修饰 选自:氨基酸替换、氨基酸插入和氨基酸缺失。
10.权利要求9所述的工程化的梭菌毒素,其中所述的至少一种氨基酸替换选自:酸性 的氨基酸残基被碱性的氨基酸残基替代、酸性的氨基酸残基被不带电荷的氨基酸残基替代 和不带电荷的氨基酸残基被碱性的氨基酸残基替代。
11.前面权利要求任意一项所述的工程化的梭菌毒素,其中所述工程化的梭菌毒素包 含1至80个氨基酸修饰。
12.权利要求11所述的工程化的梭菌毒素,其中所述工程化的梭菌毒素包含4至40个氨 基酸修饰。
13.前面权利要求任意一项所述的工程化的梭菌毒素,其中所述的至少一个氨基酸修 饰位于所述梭菌毒素的受体结合结构域(HC结构域)中。
14.权利要求13所述的工程化的梭菌毒素,其中所述的至少一个氨基酸修饰位于所述 梭菌毒素的HCN结构域中。
15.前面权利要求任意一项所述的工程化的梭菌毒素,其中所述的至少一个氨基酸修 饰是表面暴露的氨基酸残基的修饰。
16.前面权利要求任意一项所述的工程化的梭菌毒素,其中所述的至少一个氨基酸修 饰包括选自下列的氨基酸残基的修饰:天冬氨酸残基、谷氨酸残基、组氨酸残基、丝氨酸残 基、苏氨酸残基、天冬酰胺残基、谷氨酰胺残基、半胱氨酸残基或酪氨酸残基。
17.权利要求16所述的工程化的梭菌毒素,其中所述的氨基酸残基被赖氨酸残基或精 氨酸残基替代。
18.一种核酸,其包含编码根据权利要求1-17中任意一项所述的工程化的梭菌毒素的 核酸序列。
19.一种生产单链工程化的梭菌毒素蛋白质的方法,该蛋白质具有一条轻链和一条重 链,所述的方法包括在合适的宿主细胞中表达根据权利要求18的核酸,裂解所述的宿主细 胞以提供包含所述的单链工程化的梭菌毒素蛋白质的宿主细胞匀浆,并且分离所述的单链 工程化的梭菌毒素蛋白质。
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