[发明专利]偏光板、和偏光板的制造方法、束结构的制造方法

权利要求书

1.一种偏光板，其具备：

透光基板，透过工作谱带的光；

束结构层，形成于所述透光基板上，且由包含半导体的柱状的束构成；

吸收层，形成于所述束结构层上；

电介质层，形成于所述吸收层上；和

反射层，形成于所述电介质层上，且以比工作谱带的光的波长小的间距排列成一维点阵状，

所述束结构层的消光系数不为零，

所述吸收层包含Si、Ge、Ag、Ta、Fe、Al、W、Ti、Nb、Au、Cu中的1种以上，

所述束结构层是将直径小于工作谱带的波长的纳米颗粒排列在基板上，在将x、y、z正交坐标中的xy平面设为基板面时，在xy平面上从相差180°的2个方向交替地倾斜蒸镀无机微粒，从而形成的。

2.一种偏光板，其具备：

透光基板，透过工作谱带的光；

束结构层，形成于所述透光基板上，且由包含电介质、金属和半导体中的1种以上的柱状的束构成；

吸收层，形成于所述束结构层上；

电介质层，形成于所述吸收层上；和

反射层，形成于所述电介质层上，且以比工作谱带的光的波长小的间距排列成一维点阵状，

所述束结构层的消光系数不为零，

所述吸收层包含含有Ta的层和含有Si的层这2层，含有Si的层还含有Fe，

所述束结构层是将直径小于工作谱带的波长的纳米颗粒排列在基板上，在将x、y、z正交坐标中的xy平面设为基板面时，在xy平面上从相差180°的2个方向交替地倾斜蒸镀无机微粒，从而形成的。

3.根据权利要求1或2所述的偏光板，其中，所述束结构层、所述吸收层和所述电介质层中的1层以上是以比工作谱带的光的波长小的间距以一维点阵状排列而得到的。

4.根据权利要求2所述的偏光板，其中，所述束结构层包含含有Si、Ta、Ti、Al、Mg、Nb、Zr、Nb中的1种以上的氧化物。

5.根据权利要求1或2所述的偏光板，其中，所述束结构层是层叠无机微粒而得到的。

6.根据权利要求1或2所述的偏光板，其还具备：

上部束结构层，配置于所述反射层上，由包含电介质、金属和半导体中的1种以上的柱状的束构成，且以比工作谱带的光的波长小的间距排列成一维点阵状；和

上部吸收层，配置于所述上部束结构层上，且以比工作谱带的光的波长小的间距排列成一维点阵状。

7.根据权利要求1或2所述的偏光板，其还具备：

上部电介质层，配置于所述反射层上，且以比工作谱带的光的波长小的间距排列成一维点阵状；

上部束结构层，配置于所述上部电介质层上，由包含电介质、金属和半导体中的1种以上的柱状的束构成，且以比工作谱带的光的波长小的间距排列成一维点阵状；和

上部吸收层，配置于所述上部束结构层上，且以比工作谱带的光的波长小的间距排列成一维点阵状。

8.一种偏光板，其具备：

透光基板，透过工作谱带的光；

束结构层，形成于所述透光基板上，且由包含半导体的柱状的束构成；和

吸收层，形成于所述束结构层上，

所述束结构层的消光系数不为零，

所述吸收层包含Si、Ge、Ag、Ta、Fe、Al、W、Ti、Nb、Au、Cu中的1种以上，

所述束结构层是将直径小于工作谱带的波长的纳米颗粒排列在基板上，在将x、y、z正交坐标中的xy平面设为基板面时，在xy平面上从相差180°的2个方向交替地倾斜蒸镀无机微粒，从而形成的。