[发明专利]Ag合金溅射靶

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于形成有机EL元件的反射电极膜或触控面板的配线膜等导电性膜的Ag合金溅射靶，尤其涉及一种具有大面积溅射表面的大型Ag合金溅射靶。

本申请基于2013年7月19日于日本申请的专利申请第2013-150311号以及于2014年3月19日申请的专利申请2014-056037号主张优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

有机EL元件为在形成于有机EL发光层两侧的阳极与阴极之间施加电压，从阳极将空穴，从阴极将电子分别注入到有机EL膜内，利用在有机EL发光层中当空穴和电子结合时发光的原理的发光元件，其作为显示器设备用发光元件，近年来备受关注。作为该有机EL元件的驱动方式有无源矩阵方式和有源矩阵方式。该有源矩阵方式由于通过在一个像素上设置一个以上的薄膜晶体而能够进行高速转换，因此为有利于高对比度、高清晰度，且能够发挥有机EL元件特征的驱动方式。并且，作为光的提取方式有从透明基板侧提取光的底部发光方式和在与基板的相反侧提取光的顶部发光方式，开口率较高的顶部发光方式有利于高亮度化。

该顶部发光结构中的反射电极膜为了有效反射由有机EL层发出的光，优选为高反射率且耐腐蚀性高。并且，作为电极，也优选为低电阻。作为这种材料，已知有Ag合金及Al合金，但为了得到更高亮度的有机EL元件，从可见光反射率较高方面来看，Ag合金优异。在此，在有机EL元件上形成反射电极膜时采用溅射法，使用Ag合金溅射靶(例如参考专利文献1)。

但是，Ag为具有高导电性和反射率的金属，有效利用这些特性，近年来用作有机EL面板的反射电极膜。纯Ag膜具有高导电性和反射率，但是耐腐蚀性(尤其耐硫化性)和热稳定性较弱，因此为了适用于上述用途，需要改善这些特性。因此，提出有Ag中添加In的合金及其溅射靶(例如参考专利文献2、3)。

另一方面，伴随制造有机EL元件时的玻璃基板的大型化，在形成反射电极膜时使用的Ag合金溅射靶也使用大型溅射靶。在此，为了提高生产率，若向大型溅射靶投入高功率来进行溅射，则引起异常放电，产生被称为“喷溅”的现象，所熔融的微粒附着于基板上。其结果，因该微粒，配线或电极之间产生短路，存在降低有机EL元件的成品率的问题。顶部发光方式的有机EL元件的反射电极层中，其成为有机发光层的基底层，因此要求更高的平坦性，需要进一步抑制喷溅。

为了解决这种问题，在上述专利文献2、3的Ag合金溅射靶中，将合金的晶粒的平均粒径设为150～400μm，将所述晶粒的粒径的偏差设为平均粒径的20％以下，由此即使向伴随溅射靶的大型化的溅射靶投入大功率，也能够抑制喷溅。

专利文献1：国际公开第2002/077317号

专利文献2：日本特开2011-100719号公报(A)

专利文献3：日本特开2011-162876号公报(A)

在利用上述专利文献2及3中公开的Ag合金溅射靶的溅射成膜中，即使投入大功率也能够抑制喷溅的同时，形成反射电极膜。在此使用的大型Ag合金溅射靶如下制造。

首先，在高真空或惰性气体气氛中熔化Ag，在所得到的熔融金属中添加规定含量的In，之后，在真空或惰性气体气氛中进行熔化，制作Ag-In合金的熔化铸造铸锭。接着，为了将Ag-In合金晶粒的平均粒径设为规定值，对熔化铸造铸锭进行热锻。热锻中，将锻造方向每次旋转90度重复进行锻造成型比为1/1.2～1/2的镦锻。通过多道次进行冷轧直至该锻造后的铸锭成为所希望的厚度，从而作为板材。并且，对实施热处理后的板材进行铣削加工、放电加工等机械加工直到成为所希望的尺寸，由此制造大型的Ag-In合金溅射靶。

然而，上述的制造方法中，溅射靶制造用板材由Ag-In合金的熔化铸造铸锭经过热锻和冷轧的工序制造，但该铸锭在铸造过程中产生空隙。并且，用于Ag-In合金溅射靶制造的Ag原料中原本微量存在氧(O)，而且，在铸造工序中也有吸收氧的可能性。这些氧的一部分固溶存在于铸锭中。这些固溶氧具有在空隙中固定化的倾向。

并且，空隙中的氧或者铸锭中的固溶氧使In转化为In氧化物，其结果，在空隙周边偏析高电阻物质。该空隙自身在冷轧工序中被压坏形成空隙压坏部(ボイド圧潰部)，即使在溅射靶制造后也会残留该高电阻物质夹杂物。存在该高电阻物质夹杂物在溅射成膜时产生喷溅现象的问题。

由于存在该问题，不能说有机EL元件的生产成品率充分提高，要求进一步改善。

另外，上述空隙压坏部中包含有空隙完全被压坏而封闭的空隙压坏部、或者即使空隙没有完全封闭也压坏变形的空隙压坏部。

发明内容