[发明专利]溅射靶及使用该靶的薄膜的制造方法有效
| 申请号： | 201480033195.8 | 申请日： | 2014-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN105283579B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 伊藤和弘;渡边晓;宫川直通;渡边俊成;光井彰 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/44 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 王海川,穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 使用 薄膜 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种非晶电子化合物薄膜形成用溅射靶，其为含有导电性钙铝石化合物的溅射靶，其中，
所述导电性钙铝石化合物的电子密度为3×1020cm-3以上，且所述导电性钙铝石化合物含有选自由C、Fe、Na和Zr所构成的组中的一种以上元素，
所述溅射靶在不主动地对形成非晶电子化合物的薄膜时的被成膜基板的温度进行加热的溅射法中使用。
2.如权利要求1所述的溅射靶，其中，所述导电性钙铝石化合物含有选自由C、Fe和Zr所构成的组中的一种以上元素。
3.如权利要求1所述的溅射靶，其中，所述导电性钙铝石化合物含有Na。
4.如权利要求1～3中任一项所述的溅射靶，其为直径为50mm以上的圆板形平面靶、长边的长度为50mm以上的长方形平面靶、或圆筒的高度为50mm以上的圆筒型靶中的任意一种。
5.一种制造方法，其为含有钙原子及铝原子的非晶氧化物的电子化合物的薄膜的制造方法，其特征在于，
使用权利要求1～4中任一项所述的溅射靶，在低氧分压的环境下通过所述溅射法在基板上进行成膜，从而形成含有钙原子及铝原子的非晶氧化物的电子化合物的薄膜。
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