[发明专利]用于电子器件的界面层

权利要求书

1.被纳入电致变色器件中或有机发光二极管中的透明传导电极，包含：

位于透明基材上的导电涂层堆叠体，该堆叠体从该透明基材按顺序包含：

至少两个底层(2,3)，其中底层之一包含SnO₂层并且另一底层包含SiO₂层；和

直接位于该至少两个底层上的透明传导氧化物层(4)即TCO层，其中该TCO层包含具有2300埃至3400埃的厚度的氟掺杂的氧化锡；并且

其中该电极包含直接位于该TCO层上的界面层(10)，并且

其中该界面层包含TiO₂、SiO₂、SnO₂或ZnO的层，并且

其中该透明传导电极包含在13.6至20.0ohm/sq范围内的薄层电阻。

2.根据权利要求1所述的电极，其中该界面层包含厚度大于5nm的TiO₂层。

3.根据权利要求1所述的电极，其中该界面层包含ZnO，厚度在25和80nm之间。

4.制造根据权利要求1至3中任一项的用于电致变色器件或有机发光二极管的透明传导电极的方法，包括以下步骤：

i)在透明基材上沉积至少两个底层，其中底层之一包含SnO₂层并且另一底层包含SiO₂层；

ii)在该至少两个底层上直接沉积透明传导氧化物层即TCO层，其中该TCO层包含具有2300埃至3400埃的厚度的氟掺杂的氧化锡；并且

其特征在于在该TCO层上沉积界面层，其中该界面层包含TiO₂、SiO₂、SnO₂或ZnO的层，并且其中该透明传导电极包含在13.6至20.0ohm/sq范围内的薄层电阻。

5.根据权利要求4所述的方法，其中通过化学气相沉积(CVD)沉积底层、TCO层和界面层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中在浮法玻璃制造工艺期间在连续的玻璃带上沉积底层、TCO层和界面层。

7.根据权利要求5所述的方法，其中通过等离子体增强CVD沉积底层、TCO层和界面层。

8.根据权利要求4所述的方法，其中通过溅射来沉积底层、TCO层和界面层。

9.根据权利要求4所述的方法，包括沉积TiO₂界面层至厚度大于5nm的步骤。

10.根据权利要求4所述的方法，包括沉积ZnO界面层至厚度在25和80nm之间的步骤。

11.根据权利要求4所述的方法，进一步包括将界面层暴露至紫外线(UV)辐照的步骤。

12.位于电致变色器件或有机发光二极管中的透明基材上的导电涂层堆叠体作为透明传导电极的用途，所述导电涂层堆叠体从该透明基材按顺序包含；

至少两个底层(2,3)，其中底层之一包含SnO₂层并且另一底层包含SiO₂层；和

直接位于该至少两个底层上的透明传导氧化物层(4)即TCO层，其中该TCO层包含具有2300埃至3400埃的厚度的氟掺杂的氧化锡；

该电极的特征在于直接位于该透明传导氧化物层上的界面层(10)并且其中该界面层包含TiO₂、SiO₂、SnO₂或ZnO的层，并且其中该透明传导电极包含在13.6至20.0ohm/sq范围内的薄层电阻。