[发明专利]用于线内合格率监测的关键参数电测试参数的自动确定的系统及方法有效
申请号: | 201480028376.1 | 申请日: | 2014-04-07 |
公开(公告)号: | CN105264640B | 公开(公告)日: | 2018-02-27 |
发明(设计)人: | S·巴纳吉;S·马希夏瓦瑞;J·鲁滨逊;D·雷吉班德 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 合格率 监测 关键 参数 测试 自动 确定 系统 方法 | ||
1.一种计算机实施方法,其包括:
在计算机处理器处从用于对使用半导体过程生产的一组半导体晶片执行的探针电测试的合格率值的数据库接收合格率值数据的输入;
在所述计算机处理器处从用于对所述一组半导体晶片执行的参数电测试的参数电测试属性值的数据库接收参数电测试属性值数据的输入;
使用所述计算机处理器将所述所接收的合格率值数据分类为内群值类别及离群值类别;
使用所述计算机处理器基于所述所接收的合格率值数据的所述内群值类别及所述离群值类别以及所述所接收的参数电测试属性值数据评估一或多个关键参数电测试属性;
使用所述计算机处理器评估对应于所述关键参数电测试属性中的一或多者的一或多个统计过程控制阈值,其中所述统计过程控制阈值是用于所述半导体过程的过程控制阈值;及
使用所述计算机处理器产生关键参数电测试参数的数据库,其中所述关键参数电测试参数包括关键参数电测试属性及其对应统计过程控制阈值,
其中将所述所接收的合格率值数据分类为所述内群值类别及所述离群值类别包括:
将所述所接收的合格率值数据排序为分布;
评估所述分布的四分位数范围;
评估所述分布的内四分位数范围;
评估所述内四分位数范围的均值及标准差;及
将所述离群值类别指派为低于(第一四分位数-选定值×所述内四分位数范围)或高于(第三四分位数+所述选定值×所述内四分位数范围)。
2.根据权利要求1所述的方法,其中使用对所述内群值类别合格率值数据的高斯拟合发现所述均值及标准差。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述一或多个关键参数电测试属性包括提供所述合格率值数据的所述离群值类别及所述内群值类别的所要分离的参数电测试属性。
4.根据权利要求1所述的方法,其中用于对所述一组半导体晶片执行的参数电测试的参数电测试属性值的所述数据库包括至少一些缺失属性值,且其中在给出所述缺失属性值的情况下评估所述一或多个关键参数电测试属性。
5.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括使用监督分类算法评估所述一或多个关键参数电测试属性。
6.根据权利要求5所述的方法,其中所述监督分类算法包括:
使用所述离群值类别及所述内群值类别的所述分类作为监督类别;
使用所述参数电测试属性值数据作为所述监督类别的特征;及
用所述特征的子组产生关于分类能力的品质因数。
7.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括在所述计算机处理器处接收用于一或多个半导体晶片的参数电测试数据,及基于所述关键参数电测试参数预测每一晶片被分类为所述内群值类别还是所述离群值类别。
8.一种计算机实施方法,其包括:
在计算机处理器处从用于对使用半导体过程生产的一组半导体晶片执行的参数电测试的参数电测试属性值的数据库接收参数电测试属性值数据的输入;
在所述计算机处理器处从关键参数电测试参数的数据库接收关键参数电测试参数的输入,其中所述关键参数电测试参数包括用于所述半导体过程的关键参数电测试属性及其对应统计过程控制阈值;
使用所述计算机处理器评估用参数电测试所测试的一或多个半导体晶片的探针电测试分类,其中所述评估是基于所述所接收的参数电测试属性值数据及所述所接收的关键参数电测试参数,且其中所述探针电测试分类包括将半导体晶片分类为探针电测试合格率数据的内群值类别或离群值类别;及
使用所述计算机处理器而使用所述所评估的探针电测试分类产生探针电测试分类的数据库,
其中将所述半导体晶片分类为所述探针电测试合格率数据的所述内群值类别或所述离群值类别包括:
将所述探针电测试合格率数据排序为分布;
评估所述分布的四分位数范围;
评估所述分布的内四分位数范围;
评估所述内四分位数范围的均值及标准差;及
将所述离群值类别指派为低于(第一四分位数-选定值×所述内四分位数范围)或高于(第三四分位数+所述选定值×所述内四分位数范围)。
9.根据权利要求8所述的方法,其进一步包括基于所述所评估的探针电测试分类、所述所接收的参数电测试属性值数据及所述所接收的关键参数电测试参数修改用于所述半导体过程的一或多个操作条件。
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