[发明专利]纳米复合物、其制造方法、用于电子装置的屏障结构及包含其的OLED在审
| 申请号: | 201480028337.1 | 申请日: | 2014-03-25 |
| 公开(公告)号: | CN105210208A | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
| 发明(设计)人: | 斯蒂芬·哈尔凯马;尼科尔·玛丽亚·马西亚斯·默伦戴克斯-基希根;伦茨·耶罗·万埃 | 申请(专利权)人: | 荷兰应用自然科学研究组织TNO |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/00;G02B5/02;C09D7/61 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 康泉;王珍仙 |
| 地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 纳米 复合物 制造 方法 用于 电子 装置 屏障 结构 包含 oled | ||
1.一种纳米复合物,所述纳米复合物包含具有小于10nm粒度的初级无机纳米粒子,所述初级无机纳米粒子形成分散在聚合物基质中的大聚结物和小聚结物,其中,所述大聚结物具有至少100nm的粒度,且小聚结物具有小于30nm的粒度,其中所述小聚结物的含量为所述聚结物的总重量的10wt.%至80wt.%且所述大聚结物的含量为所述聚结物的总重量的0.1wt.%至20wt.%,并且
其中所述纳米复合物具有至少1.5的折射率。
2.根据权利要求1所述的纳米复合物,其中所述大聚结物具有至少400nm粒度,且基于所述聚结物的总重量的含量为0.1wt.%至20wt.%。
3.根据权利要求1所述的纳米复合物,其中所述纳米粒子的材料具有至少2的折射率。
4.根据权利要求3所述的纳米复合物,其中所述纳米粒子包含TiO
5.根据权利要求4所述的纳米复合物,其中所述纳米粒子包含氧化钛。
6.根据权利要求3至5中任一项所述的纳米复合物,进一步包含具有小于2的折射率的纳米粒子。
7.根据权利要求6所述的纳米复合物,包含含有CaO的纳米粒子。
8.根据权利要求1所述的纳米复合物,其中所述纳米粒子进一步包含选自由膦酸、硼酸、羧酸及胺组成的组中的表面改性剂。
9.根据权利要求8所述的纳米复合物,其中所述表面改性剂为油酸。
10.根据权利要求1所述的纳米复合物,其中所述基质中的所述纳米粒子的体积百分比为10%至80%。
11.根据权利要求1所述的纳米复合物,其中所述基质具有1.4至1.6的折射率。
12.根据权利要求1所述的纳米复合物,其中所述聚合物基质为脂族或芳族环氧丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、饱和烃丙烯酸酯、聚硅氧烷、聚酰亚胺或它们的混合物中的一种。
13.根据权利要求1所述的纳米复合物,其中,通过动态光散射测量的粒度分布图中的两个最高峰的尺寸比D
14.根据权利要求1所述的纳米复合物,所述纳米复合物呈厚度为1微米至1000微米的层的形式。
15.一种制造根据权利要求1至14中任一项所述的纳米复合物的方法,包含以下步骤:
(a)提供具有疏水改性表面的无机材料纳米粒子在介质中的分散体,其中,基于所述聚结物的总重量,所述分散体包含10wt.%至80wt.%的具有小于30nm粒度的小聚结物和0.1wt.%至20wt.%的具有至少100nm粒度的大聚结物,
(b)将所述纳米粒子的所述分散体引入可固化有机物质中,及
(c)固化所述有机物质。
16.根据权利要求15所述的方法,其中步骤(a)包含:
(i)提供具有单峰粒度分布的无机纳米粒子的分散体,
(ii)用表面改性剂处理所述纳米粒子以使所述纳米粒子具有疏水性,及
(iii)添加极性质子溶剂以获得具有多峰粒度分布的改性无机粒子的分散体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





