[发明专利]用于电池供电装置的电池反接保护有效
申请号: | 201480024163.1 | 申请日: | 2014-03-06 |
公开(公告)号: | CN105247751B | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | 伊戈尔·戈夫曼尔 | 申请(专利权)人: | 安晟信医疗科技控股公司 |
主分类号: | H02H11/00 | 分类号: | H02H11/00;H02J7/00 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人: | 曹正建,陈桂香 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 电池 供电 装置 反接 保护 | ||
相关申请的交叉参考
本发明要求于2013年3月12日提交的名称为“用于电池供电装置的电池反接保护(Reverse Battery Protection For Battery-Powered Devices)”的美国专利申请13/796,890(代理人案号09DC042(BHDD/038))的优先权,在此将该美国专利申请的全部内容以引用的方式并入到本文中。
技术领域
本发明大体上涉及电池供电装置,并更具体地涉及由并联的电池供电的装置。
背景技术
将电池并联在一起是向负载提供更大功率的常用方法。例如,一些已知的便携式血糖仪需要两个并联的电池来为血糖仪的负载(例如,电子设备)供电。此类装置中意外的电池反接安装可能导致一个以上的问题,这些问题包括异常装置操作、装置负载损坏和/或过早电池放电。一些装置使用诸如专用电池连接器等机械防护设施来防止无意的电池反接安装。然而,机械防护设施可能是昂贵的和/或可能对诸如钱币型或锂电池型电池等某些类型的电池不起作用。一些装置使用电路来防止电池反接安装。然而,诸如使用二极管的保护电路等一些已知的保护电路可造成不期望的功率损耗。诸如使用金属氧化物半导体场效应晶体(MOSFET)的保护电路等其它已知的保护电路可能会在由并联电池供电的装置中不起作用。具体地,在装置中使用的电池的类型和/或并联电池座的类型和/或连接器可致使一些已知的MOSFET保护电路失效。因此,仍然存在着为由并联的电池供电的装置提供电池反接保护的需求。
发明内容
根据一个方面,提供了一种电池反接保护电路。所述电池反接保护电路包括:第一负载端子;第二负载端子;第一P沟道MOSFET,其具有漏极、栅极以及与所述第一负载端子连接的源极;第一N沟道MOSFET,其具有漏极、栅极以及与所述第二负载端子连接的源极;第一正电池端子连接器,其与所述第一P沟道MOSFET的漏极以及所述第一N沟道MOSFET的栅极连接,所述第一正电池端子连接器被构造成电连接到第一电池端子;以及第一负电池端子连接器,其与所述第一N沟道MOSFET的漏极以及所述第一P沟道MOSFET的栅极连接,所述第一负电池端子连接器被构造成电连接到第二电池端子。
根据另一方面,提供了一种如下电池反接保护电路,所述电池反接保护电路包括:第一P沟道MOSFET,其具有栅极、漏极和源极;第二P沟道MOSFET,其具有栅极、与所述第一P沟道MOSFET的栅极连接的漏极、以及与所述第一P沟道MOSFET的源极连接的源极;第一N沟道MOSFET,其具有与所述第二P沟道MOSFET的栅极连接的栅极、与所述第二P沟道MOSFET的漏极以及所述第一P沟道MOSFET的栅极连接的漏极、以及源极;第一负载端子,其与所述第一P沟道MOSFET的漏极连接;第一正电池端子连接器,其与所述第一P沟道MOSFET的源极以及所述第二P沟道MOSFET的源极连接,所述第一正电池端子连接器被构造成电连接到第一电池端子;第二正电池端子连接器,其与所述第一N沟道MOSFET的栅极以及所述第二P沟道MOSFET的栅极连接,所述第二正电池端子连接器被构造成电连接到第二电池端子;第一负电池端子连接器,其被构造成电连接到第三电池端子;第二负电池端子连接器,其被构造成电连接到第四电池端子;以及第二负载端子,其中,所述第一负电池端子连接器、所述第二负电池端子连接器、所述第二负载端子和所述第一N沟道MOSFET的源极彼此连接。
根据另一方面,提供了一种保护负载免受电池反接损坏的方法。所述方法包括:将第一P沟道MOSFET的源极连接到第一负载端子;将第一N沟道MOSFET的源极连接到第二负载端子;将第一正电池端子连接器连接到所述第一P沟道MOSFET的漏极以及所述第一N沟道MOSFET的栅极,所述第一正电池端子连接器被构造成电连接到第一电池端子;以及将第一负电池端子连接器连接到所述第一N沟道MOSFET的漏极以及所述第一P沟道MOSFET的栅极,所述第一负电池端子连接器被构造成电连接到第二电池端子。
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