[发明专利]用于电池供电装置的电池反接保护有效

专利信息
申请号: 201480024163.1 申请日: 2014-03-06
公开(公告)号: CN105247751B 公开(公告)日: 2018-04-13
发明(设计)人: 伊戈尔·戈夫曼尔 申请(专利权)人: 安晟信医疗科技控股公司
主分类号: H02H11/00 分类号: H02H11/00;H02J7/00
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 代理人: 曹正建,陈桂香
地址: 瑞士*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 电池 供电 装置 反接 保护
【权利要求书】:

1.一种电池反接保护电路,其包括:

第一P沟道MOSFET,其具有栅极、漏极和源极;

第二P沟道MOSFET,其具有栅极、与所述第一P沟道MOSFET的栅极连接的漏极、以及与所述第一P沟道MOSFET的源极连接的源极;

第一N沟道MOSFET,其具有与所述第二P沟道MOSFET的栅极连接的栅极、与所述第二P沟道MOSFET的漏极以及所述第一P沟道MOSFET的栅极连接的漏极、以及源极;

第一负载端子,其与所述第一P沟道MOSFET的漏极连接;

第一正电池端子连接器,其与所述第一P沟道MOSFET的源极以及所述第二P沟道MOSFET的源极连接,所述第一正电池端子连接器被构造成电连接到第一电池端子;

第二正电池端子连接器,其与所述第一N沟道MOSFET的栅极以及所述第二P沟道MOSFET的栅极连接,所述第二正电池端子连接器被构造成电连接到第二电池端子;

第一负电池端子连接器,其被构造成电连接到第三电池端子;

第二负电池端子连接器,其被构造成电连接到第四电池端子;以及

第二负载端子,

其中,所述第一负电池端子连接器、所述第二负电池端子连接器、所述第二负载端子和所述第一N沟道MOSFET的源极彼此连接。

2.如权利要求1所述的电池反接保护电路,其还包括:

第三P沟道MOSFET,其具有栅极、与所述第一负载端子以及所述第一P沟道MOSFET的漏极连接的漏极、以及与所述第二正电池端子连接器连接的源极;

第四P沟道MOSFET,其具有与所述第一正电池端子连接器连接的栅极、与所述第三P沟道MOSFET的栅极连接的漏极、以及与所述第三P沟道MOSFET的源极以及所述第二正电池端子连接器连接的源极;以及

第二N沟道MOSFET,其具有与所述第四P沟道MOSFET的栅极以及所述第一正电池端子连接器连接的栅极、与所述第四P沟道MOSFET的漏极以及所述第三P沟道MOSFET的栅极连接的漏极、以及与所述第一负电池端子连接器、所述第二负电池端子连接器、所述第二负载端子和所述第一N沟道MOSFET的源极连接的源极。

3.如权利要求2所述的电池反接保护电路,其中,

所述第一正电池端子连接器和所述第一负电池端子连接器被构造成电连接到第一电池的各个电池端子;以及

所述第二正电池端子连接器和所述第二负电池端子连接器被构造成电连接到第二电池的各个电池端子。

4.如权利要求2所述的电池反接保护电路,其中,

所述第一正电池端子连接器具有侧面接触式构造;以及

所述第二正电池端子连接器具有侧面接触式构造。

5.一种电池供电生物传感器仪,其包括:

微控制器,其被构造成确定液体中的分析物的特性;

存储器,其与所述微控制器连接,以存储测量结果;

电池座,其被构造成接收多个电池;

如权利要求2所述的电池反接保护电路,其与所述电池座、所述微控制器和所述存储器连接;以及

外壳,其被构造成容纳所述微控制器、所述存储器、所述电池座和如权利要求2所述的所述电池反接保护电路。

6.一种保护负载免受电池反接损坏的方法,所述方法包括:

将第一P沟道MOSFET的栅极连接到第二P沟道MOSFET的漏极以及第一N沟道MOSFET的漏极;

将所述第一P沟道MOSFET的漏极连接到第一负载端子;

将所述第一P沟道MOSFET的源极连接到所述第二P沟道MOSFET的源极以及第一正电池端子连接器,所述第一正电池端子连接器被构造成电连接到第一电池端子;

将所述第二P沟道MOSFET的栅极连接到所述第一N沟道MOSFET的栅极以及第二正电池端子连接器,所述第二正电池端子连接器被构造成电连接到第二电池端子;以及

将所述第一N沟道MOSFET的源极连接到第一负电池端子连接器、第二负电池端子连接器和第二负载端子,

其中,所述第一负电池端子连接器被构造成电连接到第三电池端子,且

所述第二负电池端子连接器被构造成电连接到第四电池端子。

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