[发明专利]用于纯化氢氟酸和硝酸的混合物的反渗透有效

专利信息
申请号: 201480023186.0 申请日: 2014-04-16
公开(公告)号: CN105142763B 公开(公告)日: 2019-11-12
发明(设计)人: J-M.科拉尔德 申请(专利权)人: 索尔维公司
主分类号: B01D61/02 分类号: B01D61/02;C01B21/46;C01B7/19;C23G1/36;H01L21/306;H01L31/18
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 周李军;徐厚才
地址: 比利时*** 国省代码: 比利时;BE
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摘要:
搜索关键词: 用于 纯化 氢氟酸 硝酸 混合物 反渗透
【权利要求书】:

1.一种通过用至少一个反渗透膜处理包含氢氟酸、硝酸和至少一种硅杂质的溶液来纯化该溶液的方法,该溶液是用于在光电领域中的硅晶片的表面加工或表面清洗的废液,其中纯化前在溶液中硝酸含量为0.1%w/w至10%w/w,纯化前在溶液中氢氟酸含量为0.001%w/w至50%w/w,和纯化前在溶液中硅杂质的含量为0.1%w/w至30%w/w;至少90%的该溶液中的硅杂质被该反渗透膜拒绝而该溶液中的至少2/3的这些酸被保持在纯化的溶液中。

2.根据权利要求1所述的方法,其中在该纯化之前在该溶液中的硝酸含量是从2% w/w至10% w/w。

3.根据权利要求1所述的方法,其中在该纯化之前在该溶液中的硝酸含量是从4% w/w至9% w/w。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中在该纯化之前在该溶液中的氢氟酸含量是从0.5% w/w至30% w/w。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中在该纯化之前在该溶液中的氢氟酸含量是从1% w/w至20% w/w。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中在该纯化之前在该溶液中的硅杂质含量是从0.5% w/w至20% w/w。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中在该纯化之前在该溶液中的硅杂质含量是从1% w/w至10% w/w。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中将多于一个反渗透膜串联或并联、或串并联组合使用。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中该硅杂质是从使包含氢氟酸和硝酸的溶液与含硅表面接触产生的。

10.根据权利要求9所述的方法,其中使该包含氢氟酸和硝酸的溶液与含硅表面的接触选自太阳能电池的表面拉毛,或者用于电池的硅基电极的蚀刻。

11.根据权利要求10所述的方法,其中所述太阳能电池为硅基太阳能电池。

12.根据权利要求10所述的方法,其中所述电池为锂离子电池。

13.根据权利要求9所述的方法,进一步包括将该纯化的溶液再循环至处理该含硅表面的流中。

14.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,进一步包括添加氢氟酸和/或硝酸的步骤以便将包含在该溶液中的氢氟酸和硝酸的浓度调整至目标水平。

15.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中在纯化后,至少90%的该溶液中的硅杂质被该反渗透膜拒绝而大约2/3的这些酸保持在渗透物中。

16.一种制造硅基太阳能电池的方法,该方法至少包括依照根据权利要求1至14中任一项所述的方法来纯化包含氢氟酸、硝酸和至少一种硅杂质的溶液的步骤。

17.一种制造用于电池的硅基电极的方法,该方法至少包括依照根据权利要求1至14中任一项所述的方法纯化包含氢氟酸、硝酸和至少一种硅杂质的溶液的步骤。

18.根据权利要求16或17所述的方法,进一步包括在该制造过程期间将该纯化的溶液再循环至处理含硅表面的流中。

19.根据权利要求16至17中任一项所述的方法,其中该反渗透膜由以下各项制成:聚酰胺、聚哌嗪酰胺、聚丙烯腈、聚砜、纤维素醋酸酯、聚苯并咪唑啉、聚噁二唑、聚呋喃、聚醚-聚呋喃、聚乙烯胺、聚吡咯烷、羧化的聚砜或磺化的聚砜。

20.根据权利要求16至17中任一项所述的方法,其中该反渗透膜由以下各项制成:聚酰胺、聚哌嗪酰胺、聚丙烯腈、聚砜或磺化的聚砜。

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