[发明专利]热电转换材料、热电转换元件、热电发电用物品和传感器用电源

权利要求书

1.一种热电转换元件，其为在基材上具有第1电极、热电转换层和第2电极的热电转换元件，该热电转换层中含有纳米导电性材料和低能带隙材料，该低能带隙材料的光学能带隙为0.1eV以上1.1eV以下，所述低能带隙材料为金属络合物，

所述金属络合物为下述通式(3)所表示的化合物，

通式(3)

通式(3)中，M表示选自由Ni、Fe、Cu和Sn组成的组中的金属原子或其金属离子；M为金属离子的情况下，具有或不具有任意的抗衡离子；X¹¹、X¹²、X¹³和X¹⁴各自独立地表示杂原子，X¹¹～X¹⁴中的至少1个为硫原子或氧原子；R¹¹、R¹²、R¹³和R¹⁴各自独立地表示取代基；R¹¹与R¹²、R¹³与R¹⁴相互可以键合。

2.如权利要求1所述的热电转换元件，其中，所述热电转换层还含有选自共轭高分子和非共轭高分子中的至少一种高分子。

3.如权利要求2所述的热电转换元件，其中，所述共轭高分子包含下述构成成分作为重复结构，该构成成分来自选自由噻吩化合物、吡咯化合物、乙炔化合物、对亚苯基亚乙烯基化合物、对亚苯基亚乙炔基化合物、芴化合物以及芳基胺化合物组成的组中的至少一种化合物。

4.如权利要求2所述的热电转换元件，其中，所述共轭高分子包含下述构成成分作为重复结构，该构成成分来自选自由噻吩化合物、吡咯化合物、乙炔化合物、对亚苯基化合物、芴化合物以及芳基胺化合物组成的组中的至少一种化合物。

5.如权利要求2所述的热电转换元件，其中，所述非共轭高分子包含下述构成成分作为重复结构，该构成成分来自选自由乙烯基化合物、(甲基)丙烯酸酯化合物、碳酸酯化合物、酰胺化合物、酰亚胺化合物以及硅氧烷化合物组成的组中的至少一种化合物。

6.如权利要求2所述的热电转换元件，其中，所述非共轭高分子包含下述构成成分作为重复结构，该构成成分来自选自由乙烯基化合物、酯化合物、酰胺化合物、酰亚胺化合物以及硅氧烷化合物组成的组中的至少一种化合物。

7.如权利要求2所述的热电转换元件，其中，所述热电转换层还包含共轭高分子和非共轭高分子。

8.如权利要求1或2所述的热电转换元件，其中，所述纳米导电性材料为纳米碳材料或纳米金属材料。

9.如权利要求1或2所述的热电转换元件，其中，所述纳米导电性材料为选自由碳纳米管、碳纳米纤维、石墨、石墨烯、碳纳米颗粒和金属纳米线组成的组中的至少1种。

10.如权利要求1或2所述的热电转换元件，其中，所述纳米导电性材料为碳纳米管。

11.如权利要求1或2所述的热电转换元件，其中，所述热电转换层还含有掺杂剂。

12.如权利要求1或2所述的热电转换元件，其中，所述基材具有柔韧性。

13.如权利要求1或2所述的热电转换元件，其中，所述第1电极和第2电极各自独立地由铝、金、银或铜形成。

14.一种热电发电用物品，其使用了权利要求1～13中任一项所述的热电转换元件。

15.一种传感器用电源，其使用了权利要求1～13中任一项所述的热电转换元件。