[发明专利]有机电致发光器件

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，其包含阴极、阳极和发光层，所述发光层包含至少一种发光的有机化合物，所述有机化合物的最低三重态T₁与第一激发单重态S₁之间的间隔≤0.15eV(TADF化合物)，

其特征在于所述电致发光器件在所述发光层的阴极侧包含一个或多个电子传输层，所述电子传输层中的每个包含至少一种具有LUMO≤-2.55eV的化合物。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于存在于所述阴极与所述发光层之间的所有电子传输层包含至少一种具有LUMO≤-2.55eV的化合物，或者如果存在电子注入层，则存在于所述电子注入层与所述发光层之间的所有电子传输层包含至少一种具有LUMO≤-2.55eV的化合物。

3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于所述TADF化合物的S₁与T₁之间的间隔≤0.10eV，优选≤0.08eV，特别优选≤0.05eV。

4.根据权利要求1至3中的一项或多项所述的有机电致发光器件，其特征在于所述TADF化合物是具有供体以及受体取代基两者的芳族化合物。

5.根据权利要求1至4中的一项或多项所述的有机电致发光器件，其特征在于所述TADF化合物存在于基质中，并且以下适用于所述TADF化合物的LUMO即LUMO(TADF)和所述基质的HOMO即HOMO(基质)：

LUMO(TADF)-HOMO(基质)>S₁(TADF)–0.4eV，

其中S₁(TADF)是所述TADF化合物的第一激发单重态S₁。

6.根据权利要求1至5中的一项或多项所述的有机电致发光器件，其特征在于所述电子传输层中的电子传输材料具有LUMO≤-2.60eV，优选≤-2.65eV。

7.根据权利要求1至6中的一项或多项所述的有机电致发光器件，其特征在于存在一个、两个或三个电子传输层。

8.根据权利要求1至7中的一项或多项所述的有机电致发光器件，其特征在于所述电子传输层的层厚度总计为10nm～100nm，优选为15nm～90nm，特别优选为20nm～70nm。

9.根据权利要求1至8中的一项或多项所述的有机电致发光器件，其特征在于与所述发光层直接相邻的电子传输层的最低三重态能量比所述TADF化合物的三重态能量最多低0.1eV。

10.根据权利要求1至9中的一项或多项所述的有机电致发光器件，其特征在于以下适用于与所述发光层直接相邻的电子传输层的电子传输材料：

HOMO(EML)-HOMO(ETL)>0.2eV，

其中HOMO(ETL)是所述电子传输层的材料的HOMO，或者在所述层中有多种材料的情况下，是这些材料的最高HOMO，并且HOMO(EML)是所述发光层的材料的HOMO，或者在所述层中有多种材料的情况下，是这些材料的最高HOMO。

11.根据权利要求1至10中的一项或多项所述的有机电致发光器件，其特征在于在包含具有LUMO≤-2.55eV的电子传输材料的所述电子传输层与所述阴极之间存在至少一个电子注入层，其优选选自锂化合物和/或碱金属或碱土金属氟化物、氧化物或碳酸盐。

12.根据权利要求1至11中的一项或多项所述的有机电致发光器件，其特征在于，与所述阴极相邻的所述电子传输层，或者如果存在电子注入层，则与所述电子注入层相邻的所述电子传输层，包含具有LUMO≤-2.55eV的电子传输材料与锂化合物、特别是喹啉锂或喹啉锂衍生物的混合物。

13.根据权利要求1至12中的一项或多项所述的有机电致发光器件，其特征在于所述电子传输材料选自如下的物质类别：三嗪，嘧啶，内酰胺，金属络合物，特别是Be、Zn和Al络合物，芳族酮，芳族氧化膦，氮杂磷杂环戊二烯，氮杂硼杂环戊二烯，其被至少一个电子传导取代基取代，苯并咪唑和喹喔啉。