[发明专利]用于形成光电器件的技术

权利要求书

1.一种方法，包括：

提供GaN工件；

将多个粒子引入所述GaN工件的表面以在所述GaN工件中形成裂化区域；

将所述GaN工件的表面粘结至衬底；

施加能量以从所述GaN工件的剩余部分裂化出GaN的分离厚度；并且

处理带有GaN的分离厚度的衬底。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底具有近似等于所述GaN的热膨胀系数的热膨胀系数。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述处理包括执行抛光和/或其他表面处理。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，另一表面处理包括退火。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，另一表面处理包括等离子体蚀刻。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，另一表面处理包括化学蚀刻。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底包括金属。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述金属包括钼。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述金属包括钨。

10.根据权利要求7所述的方法，其中：

所述衬底进一步包括伴随能量的应用而放置在GaN的所述分离厚度与所述金属之间的反射层；并且

处理所述衬底以生成发光二极管器件。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述反射层是导电的并且包括银、金、铝、或者被制成导电的的电介质层堆叠。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述GaN是掺杂的p型或者n型。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述GaN是非故意地掺杂。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述处理包括执行抛光和/或其他表面处理。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，另一表面处理包括退火。

16.根据权利要求7所述的方法，其中：

所述衬底进一步包括伴随能量的应用而放置在GaN的所述分离厚度与所述金属之间的电绝缘层；并且

处理所述衬底以生成电子器件。

17.根据权利要求7所述的方法，其中，所述衬底进一步包括粘结层。

18.根据权利要求17所述的方法，其中：

所述粘结层包括热压粘结层；并且

所述粘结包括热压粘结处理。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述热压粘结层包括铜、铝、或者金。

20.根据权利要求7所述的方法，其中，所述粘结包括等离子体激活粘结(PAB)过程。

21.根据权利要求7所述的方法，其中，所述金属被配置为用于作为包括GaN的所述分离厚度的器件的热接触件和电接触件。

22.根据权利要求1所述的方法，其中，引入所述多个粒子包括引入氢气。

23.根据权利要求22中所述的方法，其中，所述引入氢气包括以约5×10¹⁶与5×10¹⁷原子/cm2之间的剂量、约10keV与100keV之间的能量注入氢气。

24.根据权利要求23所述的方法，其中，GaN的所述分离厚度具有约0.25μm的厚度。

25.一种结构，包括：

衬底，包括具有热膨胀系数近似等于粘结至所述衬底的GaN的分离厚度的热膨胀系数的金属。

26.根据权利要求25所述的结构，其中，所述金属具有近似等于GaN的所述分离厚度的热膨胀系数的热膨胀系数。

27.根据权利要求25所述的结构，其中，所述金属包括钼。

28.根据权利要求25所述的结构，其中，GaN的所述分离厚度具有约0.25μm的厚度。

29.根据权利要求25所述的结构，其中，所述衬底进一步包括放置在GaN的所述分离厚度与所述金属之间的反射层。