[发明专利]电光装置用基板、电光装置、电子设备及电光装置用基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及电光装置用基板、采用该电光装置用基板的电光装置、采用该电光装置的电子设备及电光装置用基板的制造方法。

背景技术

作为电光装置，已知有例如液晶投影机的光调制元件(光阀)中采用的有源驱动型的液晶装置。该液晶装置具备：具有像素电极的元件基板；具有相向电极的相向基板及由元件基板和相向基板夹持的液晶层等，期望实现更明亮的显示。

例如，提出了通过在相向基板设置作为光的反射部的棱镜元件，将对显示没有贡献的入射光由该棱镜元件反射，作为显示光的一部分，实现更明亮的显示的液晶装置(专利文献1)。专利文献1记载的棱镜元件具备具有沿着光轴方向变长的大致等腰三角形形状的截面的槽，该等腰三角形形状的长边(槽的斜面)成为反射入射光的光的反射面。作为光的反射面的长边和光轴所形成的角度优选尽可能小，例如，通过形成具有长边和光轴所形成的角度为3度以下即顶角为6度以下的大致等腰三角形形状的截面的棱镜元件，可提高光的利用效率，实现更明亮的显示。这样的棱镜元件通过由干刻蚀法在相向基板形成具有与光轴形成的角度为3度以下的斜面的槽，在槽的内部设置比相向基板更低折射率的空气层，形成以该斜面为光的反射面的棱镜元件。

【现有技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本特开2006-215427号公报

发明内容

但是，存在难以由干刻蚀法形成具有与光轴形成的角度为3度以下的斜面的槽，即具有陡峭的锥形状的槽的问题。

详细地说，在由干刻蚀法在基板形成陡峭的锥形状的槽的情况下，需要采用例如氟类气体(CF类气体)等的反应气体，在槽的侧壁沉积抑制横向(与深度方向正交的方向)的反应的保护膜(CF类聚合物等)，并且在深度方向刻蚀。这样的保护膜的影响若过强，则除了横向外，深度方向的刻蚀也被抑制，难以形成陡峭的锥形状的槽(深刻蚀的槽)。而且，若在深度方向进一步刻蚀，则基板和反应气体的反应所产生的反应生成物难以从槽排出，刻蚀速度降低。而且，为了继续深度方向的刻蚀，需要产生刻蚀反应的区域，在槽的底部形成横向扩展的产生刻蚀反应的区域。这样的横向扩展的区域成为在对显示没有贡献的方向反射光的反射面，因此，槽的底部优选加工为上述大致等腰三角形形状那样的尖形状。但是，存在难以将槽的底部加工为尖形状的问题，例如，若产生刻蚀反应的区域变小，则成为尖形状的底部，但是难以进一步深刻蚀的问题。

这样，存在难以通过干刻蚀法在专利文献1记载的棱镜元件形成适合的槽的问题。

本发明为了解决上述问题的至少一部分而提出，可以实现为以下的形态或适用例。

[适用例1]本适用例所涉及的电光装置用基板，其特征在于，具备：透射光的基板，其具有第1面和与上述第1面相向的第2面，第1斜面及第2斜面以从上述第1面朝向上述第2面的方式配置；覆盖上述第1斜面及上述第2斜面的第1绝缘膜；槽部，其具有覆盖上述第1斜面的上述第1绝缘膜的表面即第3斜面和覆盖上述第2斜面的上述第1绝缘膜的表面即第4斜面，沿着从上述第2面侧朝向上述第1面侧的方向变宽；以及覆盖上述槽部及上述第1绝缘膜的第2绝缘膜，上述第2绝缘膜的覆盖上述槽部的部分的一部分与上述第3斜面具有间隔，上述第2斜面配置于上述第1斜面的上述第1面侧，上述第2斜面和上述第1面的法线所成的角度比上述第1斜面和上述法线所成的角度大。

根据本适用例，在透射光的基板的第1面，第1斜面及第2斜面设置为从上述第1面朝向上述第2面，形成前阶段的槽部。通过由第1绝缘膜覆盖该前阶段的槽部，形成沿着从第2面侧朝向第1面侧的方向变宽的槽部。另外，该槽部具有覆盖第1斜面的第1绝缘膜的表面即第3斜面和覆盖第2斜面的第1绝缘膜的表面即第4斜面。而且，该槽部由具有离开第3斜面而配置的部分的第2绝缘膜覆盖，形成由该槽部和第2绝缘膜包围的(密闭)区域。

上述前阶段的槽部的第2斜面配置于第1斜面的第1面侧，第2斜面和第1面的法线所成的角度比第1斜面和第1面的法线所成的角度大。即，在电光装置用基板的第1面(表面)，具有变宽区域(开口区域)，形成第1绝缘膜的材料容易进入槽部中。换言之，电光装置用基板具有容易由第1绝缘膜覆盖前阶段的槽部的全域(第1斜面、第2斜面)的形状。结果，可以由第1绝缘膜覆盖前阶段的槽部，容易形成槽部。而且，通过由第2绝缘膜覆盖该槽部，使由该槽部和第2绝缘膜包围的(密闭的)区域的折射率和第1绝缘膜的折射率不同，可以在由该槽部和第2绝缘膜包围的区域及第1绝缘膜的界面形成光的反射面。从而，可以容易形成以由该槽部和第2绝缘膜包围的区域作为光的反射部的电光装置用基板。