[发明专利]有机电致发光器件有效

专利信息
申请号: 201480010004.6 申请日: 2014-02-21
公开(公告)号: CN105074948B 公开(公告)日: 2017-12-26
发明(设计)人: 横山纪昌;林秀一;桦泽直朗;望月俊二 申请(专利权)人: 保土谷化学工业株式会社
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;C07C211/54;C07D235/18;C07D235/20;C09K11/06
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 代理人: 刘新宇,李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 有机 电致发光 器件
【说明书】:

技术领域

本发明涉及适合于各种显示装置的自发光器件即有机电致发光器件,详细而言,涉及使用了特定芳胺化合物(和特定的具有蒽环结构的化合物)的有机电致发光器件(以下简称为有机EL器件)。

背景技术

有机EL器件为自发光性器件,因此与液晶器件相比更明亮、可视性优异、能够进行清晰的显示,因此进行了积极的研究。

伊士曼柯达公司的C.W.Tang等人于1987年通过开发将各种功能分担于各材料的层叠结构器件而将使用了有机材料的有机EL器件实用化。他们将能够输送电子的荧光体与能够输送空穴的有机物层叠,将两种电荷注入至荧光体层中而使其发光,从而能够以10V以下的电压得到1000cd/m2以上的高亮度(例如参照专利文献1和专利文献2)。

迄今,为了有机EL器件的实用化而进行了许多改良,通过将层叠结构的各种功能进一步细分并在基板上依次设置有阳极、空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层、阴极的电致发光器件,实现了高效率和耐久性(例如参照非专利文献1)。

另外,为了进一步提高发光效率而尝试利用三重态激子,研究了利用磷光发光性化合物(例如参照非专利文献2)。

并且,还开发了利用由热激活迟滞荧光(TADF)带来的发光的器件。九州大学的安达等人于2011年利用使用了热激活迟滞荧光材料的器件而实现了5.3%的外量子效率(例如参照非专利文献3)。

发光层也可以在通常被称为主体材料的电荷输送性化合物中掺杂荧光 性化合物、磷光发光性化合物或放射迟滞荧光的材料来制作。如前述非专利文献2记载的那样,有机EL器件中的有机材料的选择会大幅影响该器件的效率、耐久性等各种特性。

有机EL器件中,自两电极注入的电荷在发光层中再结合而能够获得发光,但重要的是如何将空穴、电子这两种电荷高效地传递至发光层,需要制成载流子平衡优异的器件。另外,通过提高空穴注入性、提高阻挡自阴极注入的电子的电子阻挡性,能够提高空穴与电子再结合的概率,进而通过禁锢发光层内生成的激子,能够得到高发光效率。因此,空穴输送材料所发挥的功能是重要的,寻求空穴注入性高、空穴的迁移率大、电子阻挡性高、进而对电子的耐久性高的空穴输送材料。

另外,关于器件的寿命,材料的耐热性、非晶性也是重要的。耐热性低的材料由于器件驱动时产生的热而即使在低温下也会发生热分解,材料会劣化。非晶性低的材料即使在短时间内也会发生薄膜的结晶化,器件会劣化。因此对要使用的材料要求耐热性高、非晶性良好的性质。

作为截止至今用于有机EL器件的空穴输送材料,已知有N,N’-二苯基-N,N’-二(α-萘基)联苯胺(以后简称为NPD)、各种芳香族胺衍生物(例如参照专利文献1和专利文献2)。NPD具有良好的空穴输送能力,但成为耐热性指标的玻璃化转变温度(Tg)低至96℃,在高温条件下因结晶化而导致器件特性的降低(例如参照非专利文献4)。另外,在前述专利文献所记载的芳香族胺衍生物之中,已知具有空穴迁移率为10-3cm2/Vs以上的优异迁移率的化合物(例如参照专利文献1和专利文献2),但电子阻挡性不充分,因此一部分电子穿过发光层,无法期待发光效率的提高等,为了进一步高效率化,要求电子阻挡性更高、薄膜更稳定且耐热性高的材料。另外,报告有耐久性高的芳香族胺衍生物(例如参照专利文献3),但其用作电子照片感光体中使用的电荷输送材料,尚无用作有机EL器件的例子。

作为改善了耐热性、空穴注入性等特性的化合物,提出了具有取代咔唑结构的芳胺化合物(例如参照专利文献4和专利文献5),将这些化合物用于空穴注入层或空穴输送层的器件的耐热性、发光效率等得以改良,但无法说是充分的,要求进一步的低驱动电压化、进一步的高发光效率化。

为了改善有机EL器件的器件特性、提高制作器件的成品率,通过将空穴和电子的注入/输送性能、薄膜的稳定性、耐久性优异的材料进行组合,寻求空穴和电子能够以高效率进行再结合的发光效率高、驱动电压低、寿命长的器件。

另外,为了改善有机EL器件的器件特性,通过将空穴和电子的注入/输送性能、薄膜的稳定性、耐久性优异的材料进行组合,寻求取得载流子平衡的的高效率、低驱动电压、长寿命的器件。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开平8-048656号公报

专利文献2:日本特许第3194657号公报

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