[发明专利]在发送写入数据到存储器的同时从存储器读取数据的系统和方法有效

专利信息
申请号: 201480008486.1 申请日: 2014-03-06
公开(公告)号: CN104981873B 公开(公告)日: 2018-01-02
发明(设计)人: A.皮切恩 申请(专利权)人: 桑迪士克科技有限责任公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 万里晴
地址: 美国得*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发送 写入 数据 存储器 同时 读取 系统 方法
【说明书】:

相关申请的交叉引用

本申请要求于2013年3月12日提交的印度申请No.1019/CHE/2013的优先权,其全部内容通过引用结合于此。

技术领域

本公开一般地涉及从数据存储装置取回数据以及将数据存储在数据存储装置中。

背景技术

非易失性数据存储装置——诸如通用串行总线(USB)闪速存储器装置或者可拆卸存储卡——使得数据和软件应用越来越便携。闪速存储器装置进行写入操作比进行读取操作可能要耗费更长的时间。当正在进行写入操作时,请求用于读取存储在闪速存储器装置中的数据的读取操作时,闪速存储器装置可能在进行读取操作之前完成写入操作,这可能导致读取存储的数据时的延迟。

发明内容

可以通过在将写入数据转移到数据存储装置的存储器的同时从数据存储装置的存储器读取数据来改善读取存储在数据存储装置的存储器中的数据的延迟。可以从数据存储装置的控制器发送读取-写入命令和写入数据。读取-写入命令指示将从存储器读取的被请求数据。当从控制器转移写入数据时从存储器读取被请求数据。在写入数据从控制器的转移完成之后,可以当写入数据被写入到存储器时从控制器发送被请求数据。

附图说明

图1是包括数据存储装置的系统的特定示意性实施例的框图,所述数据存储装置包括被配置为与写入数据被存储到存储器中至少部分同时地接收从存储器读取的被请求数据的控制器;

图2是示出与图1的数据存储装置的读取-写入命令相关联的信号和数据的特定实施例的时序图;以及

图3是与写入数据被存储到存储器中至少部分同时地接收从在数据存储装置中的存储器读取的被请求数据的方法的特定示意性实施例的流程图。

具体实施方式

参考图1,系统100的特定实施例包括耦合到主机装置130的数据存储装置102。数据存储装置102包括通过通信总线140耦合到控制器120的存储器裸芯103。数据存储装置102被配置为将被请求数据从存储器裸芯103发送到控制器120。将被请求数据发送到控制器120与写入数据156被写入到存储器裸芯103上的存储器104重叠。

主机装置130可以被配置为提供诸如用户数据132的数据以被存储在存储器104处,或者请求从存储器104读取的数据。例如,主机装置130可以包括移动电话、音乐播放器、视频播放器、游戏操纵台、电子书阅读器、个人数字助理(PDA)、诸如膝上型计算机或者笔记本计算机的计算机、任何其它电子装置或者其任何组合。主机装置130通过使能从存储器104读取以及写入到存储器104的存储器接口来通信。例如,主机装置130可以依照联合电子装置工程协会(JEDEC)行业规范来操作,所述行业规范诸如通用闪速存储(UFS)主机控制器接口规范。作为其它示例,主机装置130可以依照一个或多个其它规范,诸如作为示意性示例的安全数字(SD)主机控制器规范来操作。主机装置130可以根据任何其它合适的通信协议与存储器104通信。

数据存储装置102可以是存储器卡,所述存储器卡诸如安全数字卡、卡、miniSD.TM卡(特拉华州威明顿市的SD-3C LLC的商标)、MultiMediaCard.TM(MMC.TM)卡(弗吉尼亚州阿灵顿市的JEDEC固态技术协会的商标)或者(CF)卡(加利福尼亚州苗比达市的SanDisk公司的商标)。作为另一示例,数据存储装置102可以被配置为耦合到主机装置130作为嵌入式存储器,所述嵌入式存储器诸如作为示意性示例的(弗吉尼亚州阿灵顿市的JEDEC固态技术协会的商标)以及eSD。为了说明,数据存储装置102可以对应于eMMC(内嵌式的MultiMedia卡)装置。数据存储装置102可以依照JEDEC行业规范操作。例如,数据存储装置102可以依照JEDEC eMMC规范、JEDEC通用闪速存储(UFS)规范、一个或多个其它规范或其组合操作。

存储器裸芯103可以包括存储器104、缓冲器组106以及当从存储器104读取被请求数据时在存储器裸芯103上的缓冲器组106中缓冲写入数据的电路108。存储器104可以是非易失性存储器,诸如NAND闪速存储器,并且可以被配置为存储将从存储器裸芯103(例如,闪速裸芯)读取的被请求数据。存储器104可以包括诸如字线、页或块的多组存储元件。作为示例,存储器104可以包括多级单元(MLC)闪速存储器。

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