[实用新型]一种过压保护电路

权利要求书

1.一种过压保护电路，分别与外部电源单元及供电单元连接，其特征在于：包括电压检测单元和开关单元，所述电压检测单元的输入端与所述外部电源单元连接，所述电压检测单元的输出端与所述开关单元的输入端连接，所述开关单元的输出端与所述供电单元连接，所述外部电源单元同时为所述开关单元供电；

所述电压检测单元包括一与所述外部电源单元连接且由所述外部电源单元控制导通和关闭的压控元件，所述压控元件的输出端与所述开关单元连接，控制所述开关单元的导通和关闭；

当所述电压检测单元检测到所述外部电源单元的输出电压达到所述压控元件的阈值电压时，则所述压控元件导通，输出相应地控制电平至所述开关单元，关闭所述开关单元以保护所述供电单元。

2.如权利要求1所述过压保护电路，其特征在于：所述电压检测单元包括所述压控元件，钳位二极管，第一分压电阻，以及第二分压电阻；

所述钳位二极管的负极与所述外部电源单元连接，正极分别与所述压控元件的第一端及所述第一分压电阻的第一端连接；

所述第一分压电阻的第二端及所述压控元件的第二端分别接地；

所述第二分压电阻的第一端与所述外部电源单元连接，第二端及所述压控元件的第三端分别与所述开关单元连接。

3.如权利要求2所述过压保护电路，其特征在于：所述压控元件为一NMOS晶体管，且所述压控元件的第一端，第二端以及第三端分别对应所述NMOS晶体管的栅极，源极以及漏极。

4.如权利要求1所述过压保护电路，其特征在于：所述电压检测单元包括压控元件，钳位二极管，第一分压电阻，以及第二分压电阻；

所述第一分压电阻的第一端与所述外部电源单元连接，所述第一分压电阻的第二端及所述钳位二极管的负极分别与所述压控元件的第一端连接，所述钳位二极管的正极接地；所述压控元件的第二端与所述第二分压电阻的第二端连接，所述第二分压电阻的第一端与所述外部电源单元连接，所述压控元件的第三端与所述开关单元连接。

5.如权利要求4所述过压保护电路，其特征在于：所述压控元件为一PMOS晶体管，且所述压控元件的第一端，第二端以及第三端分别对应所述PMOS晶体管的栅极，源极以及漏极。

6.如权利要求2-5中任意一项所述过压保护电路，其特征在于：所述钳位二极管为稳压二极管或TVS二极管。

7.如权利要求6所述过压保护电路，其特征在于：所述开关单元中包括相互连接的第一晶体管和第二晶体管，其中，

所述第一晶体管的栅极与电压检测单元连接，且源极接地，漏极与所述第二晶体管的栅极连接；

所述第二晶体管的源极与所述外部电源单元连接，漏极与所述供电单元连接。

8.如权利要求7所述过压保护电路，其特征在于，所述开关单元中还包括一RC延时电路，具体包括：第三分压电阻，第四分压电阻，以及一电容；

所述第三分压电阻与所述电容并联连接，其连接的第一端及所述第二晶体管的源极分别与所述外部电源单元连接，其连接的第二端分别与所述第四分压电阻的第一及所述第二晶体管的栅极连接；

所述第四分压电阻的第二端与所述第一晶体管的漏极连接。

9.如权利要求7所述过压保护电路，其特征在于：所述第一晶体管为一NMOS晶体管；所述第二晶体管为一PMOS晶体管。