[实用新型]一种掩膜版清洗机台的喷水装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体设备，特别是涉及一种掩膜版清洗机台的喷水装置。

背景技术

设计与工艺制造之间的接口是版图。版图是一组相互套合的图形，各层版图相应于不同的工艺步骤，每一层版图用不同的图案来表示。版图与所采用的制备工艺紧密相关。在计算机及其超大规模集成电路(Very Large Scale INTEGRATED Circuits，VLSI)设计系统上设计完成的集成电路版图只是一些图像和数据，当将设计结果送到工艺线上实验时，还必须经过一个重要的中间环节，即制版。

制版是通过图形发生器完成图形的缩小和重复。在设计完成集成电路的版图以后，设计者得到的是一组标准的制版数据，将这组数据传送给图形发生器(一种制版设备)，图形发生器(Pattern Generator，PG)根据数据，将设计的版图结果分层转移到掩膜版上。制版的目的就是产生一套分层的版图掩膜，为将来进行图形转移(即光刻)做准备。

光刻掩膜版(Photo Mask)包含了整个硅片的芯片图形特征，进行1：1图形复制。这种掩膜版用于比较老的接近式光刻和扫描对准投影机中。投影掩膜版的优点是，投影掩膜版的特征尺寸较大，掩膜版制造更加容易；掩膜版上的缺陷会缩小转移到硅片上，对图形复制的危害减小；使曝光的均匀度提高。

掩膜版是光刻复制图形的基准和蓝本，掩膜版上的任何缺陷都会对最终图形精度产生严重的影响。掩膜版质量的优劣直接影响光刻图形的质量。因此掩膜版必须保持“完美”，使曝光的均匀度提高。预防Haze(雾化)的产生是光掩膜生产制造的业界难题。在林林总总众多的Haze发生机理中，化学离子在光掩膜表面残留是Haze发生的最主要的机理之一。如何能减少化学离子在光掩膜表面的残留则是本专利的主要方向。

例如，在现有的HamaTech ASC500机型的前端喷水装置为扇形雾状喷头，去离子水经过加压，水量调节经过该喷头后形成扇形雾状的微小水滴喷洒在光掩膜的表面。缺点在于由于水滴很小，容易受到机器内部排气装置的扰动四处飘散，落在本不该有水滴的机台各处或者是弥漫的机台内腔各处，然后吸收空气中的化学离子，极易凝聚在本已甩干完成的光掩膜表面，从而导致化学离子残留。另外，由于是雾状喷头，所以对水流量有一定的限制，不能使更多的水与光掩膜表面接触，从而去不能更多的去除光掩膜表面化学离子。

鉴于以上原因，提供一种能够有效降低掩膜版雾化风险的喷水装置实属必要。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种用于掩膜版清洗机台的喷水装置，用于解决现有技术中喷水装置的雾状喷头容易产生水雾而导致光掩膜表面残留的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种用于掩膜版清洗机台的喷水装置，所述掩膜版清洗机台的内腔上部具有斜坡通道，所述喷水装置包括：

输水管道，所述输水管道的喷水端呈一定角度倾斜并通过所述斜坡通道伸入至所述掩膜版清洗机台内部；

气动阀，设置于所述输水管道的进水端，通过调节所述气动阀以调整所述输水管道的水流量；以及

固定装置，将所述输水管道固定于所述掩膜版清洗机台。

作为本实用新型的掩膜版清洗机台的喷水装置的一种优选方案，所述斜坡通道的直径为350～500mm。

作为本实用新型的掩膜版清洗机台的喷水装置的一种优选方案，所述输水管道的喷水端的管径为6.35mm(1/4inch标准管)。

进一步地，所述输水管道喷水端上的喷嘴的孔径为6.35mm(1/4inch标准管)。

作为本实用新型的掩膜版清洗机台的喷水装置的一种优选方案，所述输水管道的材质为聚偏氟乙烯。

作为本实用新型的掩膜版清洗机台的喷水装置的一种优选方案，所述固定装置包括夹持于所述输水管道的夹持板，以及将所述夹持板固定于所述掩膜版清洗机台的固定螺丝。