[实用新型]一种LED倒装晶片及LED倒装晶片组

说明书

技术领域

本实用新型涉及LED倒装晶片。

背景技术

目前有一种LED倒装晶片如图1所示，包括N层1、P层2、N极连接层3、电极4、第三绝缘层5、蓝宝石衬底6。P层2设在N层1的底面，在N层1与P层2之间具有第一绝缘层，防止N层1与P层2短路，N层1的两端均凸出P层1，且N层1一端的凸出长度大于N层1另一端的凸出长度；N极连接层3连接在N层的底面；在P层2的底面上连接有电极，在N极连接层3的底面设有电极。在电极4与N层1和P层2之间设有所述的第三绝缘层5，第三绝缘层5优选二氧化硅绝缘层；所述的蓝宝石衬底6设在N层1上。

如图2所示，如需要在基板9上固晶，首先需要在基板9上对于电极的位置点锡膏10，然后将上述LED倒装晶片压装到基板9上，让电极与锡膏对应，在压装LED倒装晶片时，如果锡膏用量过少，则固晶不牢固、不可靠，如果锡膏用量过大，如图3所示，会导致锡膏从LED倒装晶片的边缘爬升到端部致使P极与N极导通而会产生短路的现象。

发明内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种LED倒装晶片及LED倒装晶片组。

解决上述技术问题的技术方案是：一种LED倒装晶片，包括N层、设在N层上的P层及分别与N层底部和P层底部连接的电极；在N层与P层之间形成有第一绝缘层，N层与P层之间形成有台阶，在与台阶相对的一端设有覆盖P层端面和N层端面的第二绝缘层。

一种LED倒装晶片组，由二个以上的LED倒装晶片组成；LED倒装晶片包括N层、设在N层上的P层及分别与N层底部和P层底部连接的电极；在N层与P层之间形成有第一绝缘层，N层与P层之间形成有台阶，在与台阶相对的一端设有覆盖P层端面和N层端面的第二绝缘层；相邻LED倒装晶片之间形成有贯通N层和P层的蚀刻槽，在蚀刻槽内填充有第二绝缘层。

进一步的，P层位于N层的下方，在与台阶相对的一端，P层与N层的端面平齐，在与台阶相同的一端，N层凸出P层；在与台阶相同的一端的N层端面上覆盖有第二绝缘层。

进一步的，与N层连接的电极与N层之间设有N极连接层；在电极与N层和P层之间设有第三绝缘层，在N层上设有蓝宝石衬底；第二绝缘层与第三绝缘层连为一体。

本实用新型的有益效果是：由于设置了第二绝缘层，这样，即使在固晶过程中出现锡膏爬升的现象，也不会让N层与P层连通短路。由于通过蚀刻的工艺形成了蚀刻槽，这样，既能使其中一端的N层与P层的端面平齐，又能在蚀刻槽内填充第二绝缘层，然后经切割形成LED倒装晶片，在LED倒装晶片的端部形成第二绝缘层，因此，制造方便，成本低。

附图说明

图1为背景技术中LED倒装晶片的结构示意图。

图2为背景技术中LED倒装晶片固晶的结构示意图。

图3为背景技术中LED倒装晶片固晶时锡膏出现爬升现象的结构示意图。

图4为本实用新型LED倒装晶片的示意图。

图5为LED倒装晶片组的示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进行进一步详细说明。

实施例1。

如图4所示，LED倒装晶片包括N层1、P层2、N极连接层3、电极4、第三绝缘层5、蓝宝石衬底6。P层2设在N层1的底面，在N层1与P层2之间具有第一绝缘层，防止N层1与P层2短路，N层1的一端均凸出P层1在N层与P层之间形成台阶，在与台阶相对的一端，P层2与N层1的端面平齐；N极连接层3连接在N层的底面；在P层2的底面上连接有电极，在N极连接层3的底面设有电极。在电极4与N层1和P层2之间设有所述的第三绝缘层5，第三绝缘层5优选二氧化硅绝缘层；所述的蓝宝石衬底6设在N层1上。在与台阶相对的一端设有覆盖P层2端面和N层1端面的第二绝缘层7，第二绝缘层7优选二氧化硅绝缘层，第二绝缘层7与第三绝缘层5为一体。

本实施方式的LED倒装晶片，在固晶过程中，点在基板9上的锡膏10即使出现锡膏爬升的现象，也不会让N层与P层连通短路。

在本实施方式中，作为对上述LED倒装晶片的改进，在与台阶相同的一端的N层端面上也可覆盖第二绝缘层。

实施例2。

如图5所示，LED倒装晶片组由二个以上的LED倒装晶片100组成。

相邻LED倒装晶片100之间形成有贯通N层和P层的蚀刻槽11，在蚀刻槽11内填充有第二绝缘层。经蚀刻槽11切割后，形成如图4所示的LED倒装晶片。